Ku波段 GaN 单片低噪声放大器的研制

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0072

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (6): 27 -30. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0072

Ku波段 GaN 单片低噪声放大器的研制

刘昊，彭龙新，牛超，凌志健

南京电子器件研究所，南京 210016

收稿日期:2017-03-27 出版日期:2017-06-20 发布日期:2017-06-20
作者简介:刘昊（1991—），男，吉林省吉林市人，2014 年本科毕业于西北工业大学电子信息学院电磁场与无线技术专业，现为南京电子器件研究所在读硕士研究生，研究方向为微波毫米波单片集成电路。

Ku-Band GaN Low-Noise Amplifiers MMIC

LIU Hao,PENG Longxin,NIU Chao,LING Zhijian

Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China

Received:2017-03-27 Online:2017-06-20 Published:2017-06-20

摘要/Abstract

摘要： 研制了一款 Ku 波段 GaN 单片低噪声放大器，该放大器采用了 GaN 0.25 μm Ku 功率工艺，工作电压为 10 V。在 12～18 GHz 频带内，噪声 NF≤2.9 dB，增益 G≥20 dB，输入驻波比 VSWR1≤1.8，输出驻波比 VSWR2≤1.5。该芯片在 16 GHz 下，承受 38 dBm 的大功率输入脉冲（周期为 1 ms，占空比为 10%） 10 min，经测试未发现低噪声放大器芯片烧毁的现象。

关键词: 低噪声放大器, 耐功率, GaN, 单片

Abstract: A Ku-band GaN monolithic-microwave integrated-circuit low-noise amplifier is designed and fabricated using GaN 0.25 μm technology.The amplifier working at10 V with a current160 mA has a noise figure below 2.9 dB，a gain over20 dB and input/output VSWR less than 1.8/1.5 from 12 GHz to 18 GHz.The amplifiercan endure 38 dBm ofinputpulse power(1 ms period and 10%duty ratio at16 GHz)for10 minutes.

Key words: low-noise amplifier(LNA), endurance, GaN, MMIC

中图分类号:

TN722.3

刘昊，彭龙新，牛超，凌志健. Ku波段 GaN 单片低噪声放大器的研制[J]. 电子与封装, 2017, 17(6): 27 -30.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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