高频双极晶体管工艺特性研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0711

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (7): 040 -44. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0711

高频双极晶体管工艺特性研究

赵圣哲，张立荣，宋磊

深圳方正微电子有限公司,广东深圳 518116

收稿日期:2019-02-28 出版日期:2019-07-18 发布日期:2019-07-18
作者简介:赵圣哲（1984—），男，吉林四平人，高级工程师，现从事集成电路、功率器件制造工艺研究等工作，目前以第一发明人身份已申请国家发明专利73项，发表论文数篇。

Process Characteristics Research of High Frequency Bipolar Transistors

ZHAO Shengzhe,ZHANG Lirong,SONG Lei

Founder Microelectronics International Co.,Ltd.,Shenzhen 518117,China

Received:2019-02-28 Online:2019-07-18 Published:2019-07-18

摘要/Abstract

摘要： 高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性，已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨，重点研究了制作工艺中的难点，包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺、多晶硅发射极工艺。设计并试制了工程样品，对于关键工艺对器件结构及参数的影响进行了详细的研究，可为实际的生产制造提供理论指导。

关键词: 高频双极晶体管, 集电极深N阱, 多晶硅刻蚀, 多晶发射极

Abstract: High frequency bipolar transistorsarewidely used inamplifier circuits,motors,highfrequency radar,aerospaceengineeringand other fieldsbecauseof their high frequency and current amplification characteristics.Thetypical fabrication processof high frequency bipolar transistorsisanalyzed and discussed.The difficulties in fabrication processaremainly studied,including deep-Nwell process,poly1 etch processand poly-Siemitter process.Atthesametime,engineeringsamplesaredesigned and manufactured,and theeffectsof key processes on device structure and parameters are studied in detail.The research results can provide theoretical guidance for actual production and manufacturing.

Key words: highfrequency bipolar transistors, collector deep Nwell, poly2etch, poly emitter

中图分类号:

TN305.7

赵圣哲，张立荣，宋磊. 高频双极晶体管工艺特性研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 040 -44.

ZHAO Shengzhe,ZHANG Lirong,SONG Lei. Process Characteristics Research of High Frequency Bipolar Transistors[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(7): 040 -44.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Process Characteristics Research of High Frequency Bipolar Transistors

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