硅基板盲孔制备及填镀铜工艺研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.1202

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (12): 7 -11. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.1202

硅基板盲孔制备及填镀铜工艺研究

刘晓兰^1,2，周拥华²，严英占²

1. 石家庄诺通人力资源有限公司，石家庄 050000；2. 中国电子科技集团公司第五十四研究所，石家庄 050000

收稿日期:2019-09-06 出版日期:2019-12-20 发布日期:2019-12-24
作者简介:刘晓兰（1986— ），女，河北省定州人，大学本科，工程师，主要从事微组装先进制造工艺研究。

Research on the Blind via Fabrication in Silicon Substrate and via-Filling by Copper Electroplating

LIU Xiaolan^1,2, ZHOU Yonghua², YAN Yingzhan²

1. Shijiazhuang Nuotong Human Resource Co. Ltd., Shijiazhuang 050000, China;2. The 54th Research Institute of CETC, Shijiazhuang 050000,China

Received:2019-09-06 Online:2019-12-20 Published:2019-12-24

摘要/Abstract

摘要： 分析了影响硅基板盲孔制备及填镀铜质量的因素，进行了硅基板盲孔制备、绝缘层/阻挡层/种子层淀积、硅孔填镀铜等试验，通过对硅基盲孔填镀前处理、盲孔填镀铜等关键技术进行分析，得出加工过程中应该控制的要点和注意事项。

关键词: 硅通孔, 填镀铜, 绝缘层, 阻挡层, 种子层

Abstract: The factors which influence the quality of Si substrate based blind via and the Cu filled through silicon via (TSV) were discussed. The basic details of fabrication of TSV which involves several process steps including blind via formation, deposition of insulation, barrier, and seed layer and via-filling were investigated. By analyzing the key techniques associated with copper electroplating process, the main fabrication conditions and parameters which should be specially controlled were acquired.

Key words: through silicon via, copper electroplating, insulation layer, barrier layer, seed layer

中图分类号:

TN305

刘晓兰, 周拥华, 严英占. 硅基板盲孔制备及填镀铜工艺研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(12): 7 -11.

LIU Xiaolan, ZHOU Yonghua, YAN Yingzhan. Research on the Blind via Fabrication in Silicon Substrate and via-Filling by Copper Electroplating[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(12): 7 -11.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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