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基于铜互连微结构调控的混合键合技术研究进展
潘兴亚1,师璐2,梁兆蓝1,黄文峰1,仲艳3,吴蕴雯1,3,曾小勤1
PAN Xingya1, SHI Lu2, LIANG Zhaolan1, HUANG Wenfeng1, ZHONG Yan3, WU Yunwen1, 3, ZENG Xiaoqin1
摘要: 随着集成电路与先进封装技术的快速发展,混合键合技术因其在实现高密度互连、低信号延迟和低功耗方面的显著优势,已成为超越摩尔定律的关键路径之一。然而,为实现高质量、低热预算的铜-铜键合,仍需克服低温下界面空洞、氧化与扩散不足等挑战。系统综述近年来在混合键合中铜互连中表面处理与微观结构优化的研究进展,并展望其在实现低温、可靠混合键合中的发展趋势,为未来高密度互连技术的研发与应用提供理论参考与技术支撑。