中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (10): 40 -43. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0115

• 微电子制造与可靠性 • 上一篇    下一篇

电子束曝光邻近效应修正研究

尤 春,刘维维   

  1. 无锡中微掩模电子有限公司,江苏 无锡 214135
  • 收稿日期:2018-04-02 出版日期:2018-10-20 发布日期:2018-10-20
  • 作者简介:尤 春(1981—),男,江苏溧阳人,本科,工程师,现从事掩模工艺技术研究。

Proximity Effect Correction in E-Beam Lithography

YOU Chun, LIU Weiwei   

  1. Wuxi Zhongwei Mask Electronics Co., Ltd., Wuxi 214135, China
  • Received:2018-04-02 Online:2018-10-20 Published:2018-10-20

摘要: 随着半导体工业的不断发展,掩模上图形的尺寸也越来越小,邻近效应越来越严重,对邻近效应的修正也就越发重要、越发困难。主要介绍了邻近效应及其产生机理,并以Leica SB350电子束曝光机为手段,结合实验数据,使用PARAPROX软件建立PEC(proximity effect correction parameter files)文件,确定相应校正参数,对邻近效应进行修正,在实际应用中取得了较好的效果。

关键词: 掩模, 电子束曝光, 邻近效应, PEC

Abstract: The CD of the mask is smaller as the semiconductor industry develops. The proximity effect correction is more difficult and important. In this paper, the mechanism of proximity effect was introduced. We use PEC file to correct proximity effect by means of PARAPROX soft and experimental data in Leica SB350 system. The proximity effect has effectively corrected in practice.

Key words: mask, e-beam lithography, proximity effect, PEC

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