S波段小型化宽带低噪声放大器的设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.1109

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (11): 41 -43. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.1109

S波段小型化宽带低噪声放大器的设计

豆刚, 张海峰, 向虎, 许庆

南京电子器件研究所,南京 210016

出版日期:2019-11-20 发布日期:2019-12-25
作者简介:豆刚(1987—),男,河南南阳人,工学硕士,主要从事芯片设计、国家及部委科研项目研究与管理工作。

Design of Wide Band Miniaturized S-Band Low Noise Amplifier

DOU Gang, ZHANG Haifeng, XIANG Hu, XU Qing

Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016, China

Online:2019-11-20 Published:2019-12-25

摘要/Abstract

摘要： 采用软件计算微带平面电感,描述了一款基于薄膜工艺的小型化宽带低噪声放大器的设计和性能。测试结果表明：在2.7~3.5 GHz的频段内,低噪声放大器的噪声系数小于等于0.55 dB,增益大于等于33 dB,增益平坦度小于等于±0.1 dB;在2~4 GHz的频段内,低噪声放大器的噪声系数小于等于0.65 dB,增益大于等于33 dB,增益平坦度小于等于±0.8 dB;尺寸为6.0 mm×4.2 mm。

关键词: 低噪声, 小型化, 宽带

Abstract: Design and performance of a wide band miniaturized low noise amplifier(LNA) working in S-band employing a method to calculate microstrip inductor are presented. The designed LNA working in the band of 2.7-3.5 GHz has a noise figure below 0.55 dB, and a small gain higher than 33 dB with flatness below ±0.1 dB. The designed LNA working in the band of 2-4 GHz has a noise figure below 0.65 dB, and a small gain higher than 33 dB with flatness below ±0.8 dB. The size of the LNA is only 6.0 mm×4.2 mm.

Key words: low noise figure, miniaturization, wide band

中图分类号:

TN454

豆刚, 张海峰, 向虎, 许庆. S波段小型化宽带低噪声放大器的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(11): 41 -43.

DOU Gang, ZHANG Haifeng, XIANG Hu, XU Qing. Design of Wide Band Miniaturized S-Band Low Noise Amplifier[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(11): 41 -43.

[1]	陈亮宇,骆紫涵,许丹,蒋乐,豆兴昆. 一款18~40 GHz MMIC无源双平衡混频器[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 50302-.
[2]	胡劲涵,陈文涛,邵海洲. 基于小型化模块相位噪声的间接测试方法[J]. 电子与封装, 2024, 24(3): 30203-.
[3]	刘健,张长城,崔朝探,李天赐,杜鹏搏,曲韩宾. 2~6 GHz小型化、高效率GaN功率放大器[J]. 电子与封装, 2023, 23(9): 90402-.
[4]	李幸和, 唐路, 白雪婧. 基于互感开关变压器的毫米波宽带数控振荡器[J]. 电子与封装, 2023, 23(5): 50308-.
[5]	罗阳;栾舰;周磊;武锦. 用于宽带任意波发生器的可变增益放大器[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20303-.
[6]	倪城,王毅炜,杨定坤. 一种应用于Sub-6G的宽带低功耗低噪声放大器^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(12): 120302-.
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[8]	贾玉伟,唐中强,蔡道民,薛梅,李展. 基于基板塑封工艺的小型化宽带电调衰减器[J]. 电子与封装, 2023, 23(10): 100401-.
[9]	胡敏. 共晶平台开发IC新产品的探讨[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90203-.
[10]	赵建欣, 廖春连. 一种超宽带频率综合器电路的设计与实现[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 70305-.
[11]	贾玉伟;魏志宇;冀乃一. 限幅低噪声放大器增益下降失效分析[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40402-.
[12]	王琪;唐厚鹭;贺瑾;孙园成. 一种使用集总元件实现的P波段推挽式功率放大器[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40404-.
[13]	向伟玮;张剑;卢茜;李阳阳;董乐. 硅基微流道高效散热技术在宽带微波收发组件中的应用[J]. 电子与封装, 2021, 21(8): 80406-.
[14]	贾洁;蔡利康. 基于0.15μm GaN工艺的2～18 GHz两级分布式放大器[J]. 电子与封装, 2021, 21(3): 30303-.
[15]	郭鑫, 程建斌. 基于MCM技术的小型化频率合成器设计与实现[J]. 电子与封装, 2021, 21(12): 120303-.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Design of Wide Band Miniaturized S-Band Low Noise Amplifier

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