1200 V IGBT的性能优化

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0133

电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (11): 44 -47. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0133

1200 V IGBT的性能优化

李　宏

上海先进半导体制造股份有限公司，上海200233

出版日期:2016-11-20 发布日期:2016-11-20
作者简介:李　宏（1978—），男，山东日照人，复旦大学在读工程硕士，先后在中国电子科技集团公司第47研究所和上海新进半导体制造公司任职，目前在上海先进半导体工艺整合部门工作。

An Optimization Method of 1200 V IGBT

LI Hong

Advanced Semiconductor Manufacturing Corporation Limited, Shanghai 200233, China

Online:2016-11-20 Published:2016-11-20

摘要/Abstract

摘要： 主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小Pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdson)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数。

关键词: IGBT, FS-IGBT, JFET注入, JFET退火, Pring注入, 击穿电压, 饱和压降

Abstract: An optimization method of 1200 V IGBT is presented in this article. The relationship between the structure and performance of IGBT is analyzed. The influence of FS-IGBT, JFET implant, JFET anneal prolonging and Pring implant decreasing on the balance of breakdown voltage and saturation voltage is studied for better IGBT performance.

Key words: IGBT, FS-IGBT, JFET implant, JFET anneal, Pring implant, breakdown voltage, saturation voltage

中图分类号:

TN322.8

李　宏. 1200 V IGBT的性能优化[J]. 电子与封装, 2016, 16(11): 44 -47.

LI Hong. An Optimization Method of 1200 V IGBT[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(11): 44 -47.

参考文献 10

[1]	关旭东. 硅集成电路工艺基础[M]. 北京：北京大学出版社，2003:349.
[2]	施敏. 现代半导体器件物理[M]. 北京:科学出版社, 2001:428.
[3]	Michael Quirk. 半导体制造技术[M]. 北京:电子工业出版社, 2009:600.
[4]	刘恩科. 半导体物理学[M]. 北京: 电子工业出版社, 2008:433.
[5]	孟庆巨. 半导体器件物理[M]. 北京:科学出版社, 2005:310.
[6]	维杰斯拉夫·本达. 功率半导体器件——理论及应用[M]. 北京:化学工业出版社，2005:357.
[7]	袁寿财. IGBT场效应半导体功率器件导论[M]. 北京:科学出版社, 2007:209.
[8]	陈星弼. 功率MOSFET与高压集成电路[M]. 南京:东南大学出版社, 1990:373.
[9]	Liu Chao. Comparative Study of MOSFET and IGBT[J]. Computer＆Digital Engineering, 2013, 41(11)：1772-1773.
[10]	Stanley Wolf. Silicon Processing For The VLSI Era Vol 4 [M]. USA: Lattice Press, 2002:805.

[1]	卓宁泽;赖信彰;于世珩. 多重场限环型终端结构的优化设计^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20402-.
[2]	吴毅, 夏云, 刘超, 陈万军. 一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90401-.
[3]	周淼, 汤亮, 何逸涛, 陈辰, 周锌. 一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90403-.
[4]	杨晓磊;李士颜;赵志飞;李赟;黄润华;柏松. 超高压碳化硅N沟道IGBT器件的设计与制造^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40102-.
[5]	潘福跃;张明新;曹利超;刘佰清;洪根深;张海良;刘国柱. ONO反熔丝器件可编程特性研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(7): 70404-.
[6]	李怡，乔明. 700 V超低比导通电阻的LDMOS器件[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80401-.
[7]	敖国军，廖小平，杨兵. 磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80202-.
[8]	马阔,乔明,周锌,王卓. 高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(6): 60403-.
[9]	肖紫嫣,刘超,夏云,陈万军. 具有三明治集电极结构的新型无电压回跳半超结RC-IGBT[J]. 电子与封装, 2020, 20(6): 60404-.
[10]	孟培培,乔明. 一种250 V高动态阻抗恒流器件优化设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(6): 60401-.
[11]	何林蓉,乔明. 基于双极载流子导电的新型恒流器件[J]. 电子与封装, 2020, 20(5): 50403-.
[12]	陈正才;黄龙;彭时秋. 5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(10): 100404-.
[13]	杨昆;乔明;何俊卿;王睿. 横向超结器件耐压与比导的优值仿真与实验验证[J]. 电子与封装, 2020, 20(10): 100401-.
[14]	刘艳宏，邢毅，董妮，荆海燕. 电动汽车用IGBT模块铜底板设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 34-36.
[15]	李碧姗，王昭，董妮. IGBT结构设计发展与展望[J]. 电子与封装, 2018, 18(2): 1-8.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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