一种0.03～1.7 GHz超宽带低噪声放大器的设计与制作

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0100

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (8): 33 -35. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0100

一种0.03～1.7 GHz超宽带低噪声放大器的设计与制作

张帅

中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214035

出版日期:2017-08-20 发布日期:2017-08-20
作者简介:张帅（1990—），男，江苏宿迁人，硕士研究生毕业，研究方向为微波器件。现在中国电子科技集团公司第58研究所模块室从事微波组件设计。

Design of 0.03-1.7 GHz Ultra-wideband Low-Noise Amplifier

ZHANG Shuai

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi 214035, China

Online:2017-08-20 Published:2017-08-20

摘要/Abstract

摘要： 为了降低接收机前端的噪声,设计了一种超宽带低噪声放大器。选用噪声较小、增益较高且工作电流较低的放大管,利用负反馈和宽带匹配技术,结合ADS和HFSS微波软件辅助设计,放大器在30 MHz~1700 MHz范围内,增益大于31 dB,平坦度小于±0.5 dB,噪声系数小于2.3 dB,驻波比小于1.6。

关键词: 超宽带, 低噪声放大器, 负反馈, 宽带匹配

Abstract: To reduce the noise of the receiver front end, in the paper an ultra-wideband low-noise amplifier is designed, which selects amplifier tube of low noise, low current and high gain, uses negative feedback and wideband matching technology and combines with ADS and HFSS software. The amplifier in the 30 MHz~1700 MHz range obtains the gain greater than 31 dB, the flatness less than ±0.5 dB, noise figure less than 2.3 db, and VSWR less than 1.6.

Key words: Ultra wideband, low noise amplifier, negative feedback, wideband matching

中图分类号:

TN722.3

张帅. 一种0.03～1.7 GHz超宽带低噪声放大器的设计与制作[J]. 电子与封装, 2017, 17(8): 33 -35.

ZHANG Shuai. Design of 0.03-1.7 GHz Ultra-wideband Low-Noise Amplifier[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(8): 33 -35.

[1]	肖勇，吴中川，白波，刘杰龙. 0.2 GHz~3.2 GHz 超宽带低噪声放大器的研制[J]. 信息与电子工程, 2011.
[2]	潘少祠. 2.4 GHz 低噪声放大器的研究 [J]. 杭州电子科技大学学报,2005, 25(4): 56－59.
[3]	赵云.X波段低噪声放大器设计分析[J].无线电工程，2011.
[4]	钱可伟,田忠. 0.1~2.8 GHz 超宽带低噪声放大器的研制[J]. 电子元件与材料, 2008.
[5]	吴郑磊. 微波宽带低噪声放大器的设计[D]. 成都:电子科技大学, 2006.

[1]	华佳强,李野. 一种应用于DDR的低抖动锁相环设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 50305-.
[2]	倪城,王毅炜,杨定坤. 一种应用于Sub-6G的宽带低功耗低噪声放大器^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(12): 120302-.
[3]	叶坤,张梦璐,蒋乐,豆兴昆,丁浩. 一种9~26 GHz宽带MMIC低噪声放大器的设计与实现[J]. 电子与封装, 2023, 23(10): 100302-.
[4]	胡敏. 共晶平台开发IC新产品的探讨[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90203-.
[5]	赵建欣, 廖春连. 一种超宽带频率综合器电路的设计与实现[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 70305-.
[6]	贾玉伟;魏志宇;冀乃一. 限幅低噪声放大器增益下降失效分析[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 40402-.
[7]	贾洁;蔡利康. 基于0.15μm GaN工艺的2～18 GHz两级分布式放大器[J]. 电子与封装, 2021, 21(3): 30303-.
[8]	张柳;张涛;鲁新建;韩建林. 一种超宽带多通道开关组件的设计方法[J]. 电子与封装, 2020, 20(11): 110303-.
[9]	李建平，吴少兵. 100 nm GaN基6~18 GHz低噪声放大器的研制[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 28-31.
[10]	. 基于248nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 39-43.
[11]	阮建新, 肖培磊. 一种新型无运放的带隙基准电路[J]. 电子与封装, 2018, 18(4): 10-12.
[12]	章军云，王溯源，林罡，黄念宁. 基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15 μm GaAs LN pHEMT[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 36-39.
[13]	刘昊，彭龙新，牛超，凌志健. Ku波段 GaN 单片低噪声放大器的研制[J]. 电子与封装, 2017, 17(6): 27-30.
[14]	张凯虹，苏　扬，武乾文. 低噪声放大器的自动测试开发[J]. 电子与封装, 2016, 16(11): 7-9.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

一种0.03～1.7 GHz超宽带低噪声放大器的设计与制作

Design of 0.03-1.7 GHz Ultra-wideband Low-Noise Amplifier

RichHTML

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献 5

相关文章 14

编辑推荐

Metrics

本文评价