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"面向高温极端环境的集成电路及传感器技术与应用"专题 栏目所有文章列表
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1.
"面向高温极端环境的集成电路及传感器技术与应用"专题前言
曹晓东
电子与封装 2025, 25 (
11
): 110100-.
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2.
一种耐高温MEMS加速度传感器
张旭辉,李明昊,任臣,陈琳,杨拥军
电子与封装 2025, 25 (
11
): 110101-. DOI:
10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0174
摘要
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设计一种耐高温微机电系统(MEMS)加速度传感器,MEMS敏感结构采用差分梳齿电容检测原理,MEMS与专用集成电路(ASIC)均使用绝缘体上硅(SOI)工艺设计制造。ASIC包括低噪声前端放大器、增益/零位调节、低通滤波等信号链电路单元,以及片上基准、片上振荡器、熔丝型一次性可编程(OTP)等辅助电路单元。器件采用陶瓷管壳封装,量程达到±15
g
,非线性度0.31%,225 ℃时零偏稳定性优于0.002
g
,表现出较好的温度特性和高稳定性。
参考文献
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3.
MEMS器件辐射损伤机理与抗辐射加固技术研究进展
*
郭凯茜,朱志成,徐东航,聂萌
电子与封装 2025, 25 (
11
): 110102-. DOI:
10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0176
摘要
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随着MEMS技术在空间探测、核能工程等极端辐射环境中的广泛应用,其辐射可靠性问题日益凸显。系统分析了基于不同工作原理(静电驱动、压阻传感、压电转换等)的MEMS器件在辐射环境下的失效机理,重点总结了电离辐射、位移损伤等效应对器件性能的影响规律。详细评述了从材料优化、结构设计到工艺改进的抗辐射加固技术研究进展。最后,针对未来深空探测、核反应堆监测等应用需求,提出了MEMS抗辐射加固技术的发展趋势和研究方向,为高可靠MEMS器件的设计与应用提供参考。
参考文献
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4.
高温MEMS压力传感器芯片设计与实现方法研究
*
陈培仓,华传洋,朱赛宁,王涛,聂萌,郭贤,吴建伟
电子与封装 2025, 25 (
11
): 110103-. DOI:
10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0177
摘要
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针对核工业高温环境下25 MPa压力测量需求,设计并实现了一种基于CMOS工艺的高温MEMS压力传感器芯片。该芯片采用绝缘体上硅(SOI)材料片,通过硅槽和填充工艺实现全介质隔离,有效避免了高温下PN结隔离本征激发漏电问题,同时提升了热稳定性。实验结果表明,芯片压力测量范围为0~25 MPa,常温非线性误差优于0.35%FS,灵敏度达到3.95 mV/MPa,压敏电阻线性误差小于0.07%,在275 ℃时温度系数为2001.17×10
-6
/℃,传感器零点温漂在-0.08 mV/℃以内,热稳定时间较传统的沟槽隔离提升34.29%。该设计有望为核高温环境下的压力测量提供可靠解决方案,推动CMOS MEMS集成技术发展。
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5.
耐高温MEMS加速度计设计及温度特性优化
陈鹏旭,任臣,杨拥军,王宁,陈琳,李明昊
电子与封装 2025, 25 (
11
): 110104-. DOI:
10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0178
摘要
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利用高温SOI ASIC制造工艺和微机电系统(MEMS)技术,研制了更宽温区(-55~225 ℃)的耐高温MEMS加速度计,拓宽了MEMS加速度计的使用范围。并对高温环境下的MEMS加速度计的温度特性进行研究。影响加速度计零偏温度系数的主要因素是应力,在应力过大的情况下,MEMS加速度计的结构会发生形变,导致零位偏移、温度漂移过大。基于有限元分析,从高温加速度计封装入手,通过优化封装应力,提高MEMS加速度计的温度性能,将全温零偏变化量减小至0.002 5
g
以内。加速度计量程达到了±50
g
,满量程线性度优于0.3%,可以满足航空航天、石油钻井等各种复杂高温环境的应用要求。
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