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马千里1,2,3,马永辉1,钟诚2,李晓2,廉重2,3,刘志权3
MA Qianli1,2,3, MA Yonghui1, ZHONG Cheng2, LI Xiao2, LIAN Zhong2,3, LIU Zhiquan3
摘要: 随着摩尔定律在晶体管微缩领域逼近物理极限,先进封装技术通过系统微型化与异构集成,成为突破芯片性能瓶颈的关键路径。作为先进封装的核心分支,2.5D封装通过硅/玻璃中介层实现高密度互连与多芯片异构集成,兼具高带宽、低延迟和小型化优势,广泛应用于人工智能、高性能计算及移动电子领域。本文系统阐述了2.5D封装的核心结构(如CoWoS、EMIB和I-Cube)及其技术特征,重点剖析了小芯片(Chiplet)模块化设计、硅通孔(TSV)工艺优化、微凸点可靠性提升、铜-铜直接键合界面工程以及再布线层(RDL)多物理场协同设计等关键技术的最新进展。未来研究需聚焦低成本玻璃基板、原子层沉积技术抑制界面氧化以及多物理场协同设计等方面,以突破良率和散热瓶颈,推动2.5D封装在后摩尔时代高算力场景中的广泛应用。