ICTC2024（集成电路测试大会）专题 栏目所有文章列表

(按年度、期号倒序)     一年内发表的文章 |  两年内 |  三年内 |  全部 Please wait a minute... 全选： 导出引用 EndNote Ris BibTeX Select In掺杂Sn-1Ag-0.7Cu-3Bi-1.5Sb-xIn/Cu互连结构在热载荷下的损伤 李泉震,王小京 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0178 摘要 （15）      PDF （1446KB）（46）    可视化    为了应对消费电子端苛刻的热可靠性需求，研究探讨了在170 ℃等温时效条件下，不同热时效时间（0 h、1 000 h、2 000 h）Sn-3.0Ag-0.5Cu、Sn-1Ag-0.7Cu-3Bi-1.5Sb-12In、Sn-1Ag-0.7Cu-3Bi-1.5Sb-17In以及Sn-20In-2.8Ag焊点的熔融特性、微观结构、力学性能。研究发现，掺杂In会降低固相、液相和峰值温度，同时增加熔化范围。当In的质量分数超过12%时，基体中出现γ-InSn4相，焊点合金出现双相基体。In的加入使焊料/铜界面IMC从Cu6Sn5转变为Cu6(Sn, In)5。在等温老化过程中，In的加入会促进Cu6(Sn, In)5的生长，但能抑制Cu3(In, Sn)的生长。在时效过程中，12In/Cu焊点的综合剪切性能最佳，具有较高的剪切力和较为优异的剪切强度。该实验对于控制界面化合物的生长、探索掺杂高In对焊点性能的影响以及稳定焊点结构都具有实际意义。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120101 Select 一种T/R多功能芯片评估系统中的数字设计 蒲璞,黄成,刘一杉,戴志坚 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0179 摘要 （11）      PDF （2061KB）（5）    可视化    T/R多功能芯片是相控阵雷达中的关键元器件，包含射频、数字以及驱动等电路模块，其电性能和功能评估过程极为复杂。在电性能及功能评估过程中，要求数字时序控制信号能够灵活配置，被测量电路的输入时序与其响应结果能一一对应，数字回读信号能直观显示。基于FT245RNL USB接口芯片和EP4CE10E22C8 FPGA，设计了一种针对T/R多功能芯片评估的控制电路，结合矢量网络分析仪、源表等仪器，完成了对芯片电性能和功能的评估。结果表明，上位机应用软件能准确地控制数字信号的收发。该方案在T/R多功能芯片评估系统的数字设计上表现出良好的通用性，为该类电路的评估提供了一种比较实用的思路。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120102 Select 基于机器学习的芯片老化状态估计算法研究 宋国栋, 邵家康, 陈诚 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0176 摘要 （194）      PDF （1782KB）（188）    可视化    随着芯片的集成度越来越高，其晶体管数量也越来越多，老化速度加快。由于工业应用、装备系统等领域对芯片可靠性的要求较高，因此研究估计芯片老化的方法至关重要。总结现有的芯片老化估计和预警的技术方法，将机器学习算法应用于芯片老化状态估计，实验结果表明，极端梯度提升树算法的效果较好。对现有的极端梯度提升树算法进行贝叶斯优化，寻找模型的最优参数，使用优化后的算法估计的状态值与真实值的均方误差比优化前降低了0.13~0.25，优化后的模型预测结果较为精准。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110101 Select GaN HEMT热特性的反射热成像研究* 刘智珂，曹炳阳 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0174 摘要 （74）      PDF （1372KB）（51）    可视化    GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）已在电力电子的诸多领域得到广泛应用，但需要解决高功率密度带来的热瓶颈问题。反射热成像是一种具有高空间分辨率的全场温度成像技术，适用于捕捉HEMT的运行温度，从而制定合适的热管理策略。利用反射热成像系统对6种GaN HEMT的场板和漏极温度分布进行了测试，实验与仿真结果偏差在6%以内。通过热阻分析比较了不同衬底厚度和外延设计对器件热特性的影响，衬底热阻占总热阻的比例超过40%，将衬底厚度从100 μm减薄至60 μm，热阻降低8.1%，衬底减薄对于热阻的降低影响显著程度高于外延设计变更。上述结果凸显了反射热成像方法用于指导器件热优化的重要性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110102 Select 芯粒互连测试向量生成与测试方法研究 解维坤, 李羽晴, 殷誉嘉, 王厚军 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0175 摘要 （86）      PDF （1881KB）（68）    可视化    基于芯粒的2.5D和3D集成系统产品都具有大量的芯粒间互连，不可避免地会出现各种制造缺陷，互连测试对于提高2.5D和3D集成系统产品大规模生产过程中的质量和产量至关重要。在研究传统的I-ATPG和真/补测试算法等互连测试方法的基础上提出了一种新的代码字编码方法，只需要4个代码字即可对所有矩形网络和六角网络进行代码字编码。设计了一种基于IEEE1838标准的芯粒集成系统测试架构，给出了一种典型的双芯粒互连电路并进行了测试和仿真验证，系统性地介绍了芯粒间互连测试技术。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110103 Select Sn57Bi0.1Sb钎料力学性能分析及Anand模型参数确定 杨浩，王小京，蔡珊珊 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0177 摘要 （98）      PDF （1102KB）（85）    可视化    分析了0.1Sb掺杂Sn57Bi钎料合金在不同温度（25、60、80、100、120 ℃）和应变速率（0.0001、0.001、0.005、0.01、0.05、0.1 s-1）下的单轴拉伸力学行为，实验结果表明，Sn57Bi0.1Sb钎料表现出显著的温度和应变速率相关性。随着温度的升高，抗拉强度降低，而随着应变速率的提高，抗拉强度提高。在高温条件下，材料的初始强化阶段延长，且整体的强度增长速率减缓。在实验数据的基础上，采用非线性数据拟合方法对Anand本构模型进行参数确定，提取了描述材料黏塑性行为的9个重要参数。Anand模型通过内变量有效地捕捉了材料在不同条件下的应力-应变响应，包括温度、应变速率、硬化/软化效应等多重影响因素。模型的准确性通过实验数据得以验证，所得参数可以为后续的有限元模拟与工程应用中的材料设计提供可靠的参考依据。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110104