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不同厚度GaAs通孔技术研究

闫未霞, 彭挺, 郭盼盼, 强欢, 莫中友, 孔欣

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1106

摘要（317）

PDF （1125KB）（473）

研究了不同厚度下砷化镓的通孔工艺。在以砷化镓为衬底的工艺加工中，背孔工艺是砷化镓的重要工艺，直接影响着器件的性能。首先阐述了目前砷化镓厚度为100 μm的工艺情况，分析了砷化镓厚度为150 μm时的深孔刻蚀。通过对刻蚀工艺中不同压强和不同偏置功率的研究，掌握砷化镓深度为200 μm的深孔刻蚀工艺。最后根据研究200 μm深孔刻蚀工艺的经验，开发深度为250 μm的深孔刻蚀工艺。

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2021年第21卷第11期 pp. 110401

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高频高速通信覆铜板信号损失分析及研究进展

苏晓渭, 赵海波, 王成勇, 王冬艳, 盛小涛

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1110

摘要（373）

PDF （1153KB）（558）

5G通信信号的频率不断提高，作为各类集成电路的基板，覆铜板在高频通信条件下，对传输信号损失的影响比低频通信条件下大幅提高。5G高频高速通信对信号质量的要求也更加严格。研究在高频下覆铜板导致的各种信号损失成因及其控制措施具有较大的应用价值，也是目前国内外学者在该领域的研究热点。分析了高频高速覆铜板导致的信号损失的主要途径，概括了近年来高频覆铜板信号损失控制技术领域的研究进展，重点从导体损耗、介质损耗、辐射损耗等方面入手，分析了影响损耗的主要参数，给出了降低信号损失的可行方案。

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2021年第21卷第11期 pp. 110402

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3300 V混合SiC IGBT模块研制与性能分析*

杨晓菲;于凯;董妮;荆海燕;刘爽

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1114

摘要（250）

PDF （1482KB）（317）

传统IGBT模块内部集成有PiN结构的Si基二极管作为续流二极管，该二极管开关损耗大，并且在关断时存在电流、电压过冲现象，使得IGBT模块整体功耗增大，可靠性降低。通过SiC JBS代替模块内原有的PiN结构Si基二极管，研制了3300 V/1500 A等级的Si IGBT/SiC JBS混合模块。介绍混合模块的设计方法、制造工艺及测试结果，并对比传统Si基IGBT模块与Si IGBT/SiC JBS混合模块电学参数的差异。通过相同工况条件下的功耗计算，对比两者功耗之间的差别。研究表明Si IGBT/SiC JBS模块中二极管的开关时间减小91.9%、开关能量减小98.3%，二极管功耗相对减少了62.1%，使得混合模块整体功耗降低，消除电压、电流过冲，提高模块可靠性。

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2021年第21卷第11期 pp. 110403

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SOI高压LDMOS单粒子烧毁效应机理及脉冲激光模拟研究^*

师锐鑫;周锌;乔明;王卓;李燕妃

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1115

摘要（220）

PDF （1451KB）（246）

SOI高压LDMOS作为高压集成电路的核心器件，广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中。通过TCAD仿真软件，开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件烧毁机理研究。器件在重离子的影响下产生大量的离化电荷，并在电场作用下发生漂移运动，从而诱发寄生三极管开启，导致器件发生单粒子烧毁效应而失效。采取脉冲激光对SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点进行辐射试验，试验结果表明脉冲激光能量为2 nJ，SOI高压LDMOS器件未发生单粒子烧毁效应，验证了脉冲激光模拟试验评估SOI LDMOS器件抗单粒子烧毁能力的可行性。

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2021年第21卷第11期 pp. 110404

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MOSFET器件质量与可靠性的互补表征体系研究

张阳;王党会;郑俊娜

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.1113

摘要（220）

PDF （1852KB）（433）

尺寸缩小效应会导致金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）的性能变化，引发质量与可靠性等问题，进而制约微电子器件性能和使用寿命。对插入厚度为5 nm的Al₂O₃帽层结构的nMOSFET器件进行电学性能和低频噪声性能测试，并提取了阈值电压、栅极关态电流、亚阈摆幅、载流子迁移率及迁移率衰减系数等参数。通过分析栅极电压噪声功率谱密度和栅极缺陷密度，建立了MOSFET器件电学表征方法和低频噪声表征方法的互补表征体系。结果表明，栅极结构中插入5 nm Al₂O₃帽层能有效地调制器件的阈值电压，关态泄漏电流密度降低了97%，器件的输出功率提高了26%；但由于Al₂O₃帽层的插入，在栅极氧化物界面处引入了陷阱，导致载流子在界面处的散射几率增大，迁移率降低了49%。

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2021年第21卷第11期 pp. 110405

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一种总剂量辐照加固的双栅LDMOS器件

马红跃，方健，雷一博，黎明，卜宁，张波

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0810

摘要（322）

PDF （2061KB）（251）

提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构，能够减小总剂量（TID）辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比，所提出的双栅由厚栅和薄栅构成，其中薄栅位于p阱的N+有源区上方，厚栅为原器件结构的栅，在受到TID辐照时，薄栅结构可以抑制阈值电压漂移，厚栅结构能保证器件耐压，提高了器件可靠性。利用Sentaurus TCAD进行仿真验证，仿真结果表明，双栅器件在保持原有器件转移、输出、开关等电学特性的基础上，在1 Mrad(Si)剂量辐射时，常规结构器件阈值电压漂移量为105.8%，而双栅新结构器件的阈值电压漂移量仅为10.2%。

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2021年第21卷第8期 pp. 080401

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SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究

唐常钦, 王多为, 龚敏, 马瑶, 杨治美

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0811

摘要（293）

PDF （1663KB）（339）

研究了SiC功率MOSFET的γ辐照总剂量效应，获得了其在不同总剂量辐照以及不同环境温度下的输出特性和转移特性，并探究了γ辐照和环境温度对阈值电压、漏极饱和电流、工作状态的影响规律。研究结果表明，栅氧化层的辐照损伤是导致SiC MOSFET性能退化的主要原因。器件的输出特性、阈值电压及工作状态受辐照剂量影响明显，经室温退火后，器件性能有一定恢复。器件静态特性随温度的变化规律不易受γ辐照影响，辐照前后其阈值电压的温度系数均约为-2.71 mV/K，表明该器件阈值电压具有较好的温度稳定性。

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2021年第21卷第8期 pp. 080402

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大功率高性能SiP的电热耦合分析

张琦;曾燕萍;袁伟星;张景辉

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0812

摘要（354）

PDF （1951KB）（291）

随着系统级封装（System-in-Package，SiP）中器件数量和功率密度的急剧增加，精确的热分析与电分析成为设计关键点。仿真时采用电与热数据交互的方法，实现功率高达90.6 W高性能SiP的电热迭代分析。相较于单一的热分析和电分析，考虑电热耦合后SiP最高温度上升6.34 %，用电端电源引脚处实际电压下降5.7 %，电热耦合分析为大功率高性能SiP的可靠性设计提供一种有效的评估方法。

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2021年第21卷第8期 pp. 080403

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集成电路检验/失效分析过程芯片去层制备方法

汪小青;虞勇坚;马勇;刘晓晔;吕栋

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0813

摘要（273）

PDF （1184KB）（339）

集成电路检验和失效分析相关标准中提出了芯片去层制备的要求，但因未提供相应的操作方法而缺乏可操作性。去层制备方法与芯片的物理层次结构和材料紧密相关，探讨了离子刻蚀法、机械研磨法、化学腐蚀法等去层制备方法与芯片物理层次、材料的适用性，选用实际芯片完成玻璃钝化层、介质层和金属化层的制备和去除，获得了可以满足检验和分析要求的物理层次。提出的芯片去层制备方法可以为相应标准提供补充，使其具有可操作性，为检测机构和用户单位的检验和分析过程提供了参考。

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2021年第21卷第8期 pp. 080404

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低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究

王敬轩;商庆杰;杨志

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0815

摘要（323）

PDF （1587KB）（282）

微机械加工（MEMS）工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料，以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺（LPCVD），优化工艺中反应气体流量比，可以得到应力低于200 MPa的氮化硅薄膜。针对工艺中存在的片间应力以及薄膜厚度均匀性差的问题，采用二次电子质谱（SIMS）的方式，分析出反应气体的消耗造成的反应气体比例变化是引起该问题的主要因素。通过优化工艺参数，得到了片间应力在100~150 MPa之间、厚度均匀性5%以内的低应力氮化硅薄膜，可实现50片/炉的工艺能力，可批量应用于微机械加工（MEMS）工艺中。

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2021年第21卷第8期 pp. 080405

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硅基微流道高效散热技术在宽带微波收发组件中的应用

向伟玮;张剑;卢茜;李阳阳;董乐

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0816

摘要（287）

PDF （1201KB）（280）

硅基微流道散热技术可以实现数百瓦每平方厘米以上的高效散热能力。开发了硅基微流道散热器，实现了600 W/cm²以上的高效散热能力。硅作为半导体材料，会影响微波功率芯片的接地性能。通过对硅基微流道散热器进行整体金属化处理，可使其满足宽带微波收发组件的应用要求。将硅基微流道散热器集成在大功率收发组件中，在2~6 GHz的频率范围内，组件能够正常工作，饱和输出功率大于40 dBm。

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2021年第21卷第8期 pp. 080406

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涂胶调整滤波器频率偏差的方法分析

李健;郭战魁;脱英英

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0704

摘要（183）

PDF （986KB）（162）

采用在平面电路表面涂覆氟塑料密封胶的方法对滤波器中心频率发生偏差的情况进行调整。首先仿真分析12阶发夹型带通滤波器在表面涂覆氟塑料密封胶前后各性能参数的变化趋势；然后制备滤波器实物样件，在表面涂覆氟塑料密封胶，测试涂胶前后滤波器的带通滤波特性。测试结果与仿真结论一致，滤波器涂胶后的通带中心频率向低频移动，带内损耗略有增加，通带宽度、带内波动和带外抑制等未发生明显变化，证实了该方法的可行性。

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2021年第21卷第7期 pp. 070401

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热固性环氧导电胶的失效机理分析

井津域;刘德喜;史磊;景翠;康楠

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0711

摘要（414）

PDF （3461KB）（497）

对热固性环氧导电胶在常温环境及高温环境下的失效过程进行了研究。研究显示，导电胶在常温下6~7 h内，其内部组分性能稳定，具有较好的流动性。回温时间超过7 h，工艺稳定性变差，这是由于导电胶内部稀释剂不断挥发，导致树脂基体在高温下难以形成稳定的三维空间结构。固化后导电胶加热至190 ℃以上，材料内部发生了Ag元素的富集，导致内应力增大。长时间加热导电胶，Ag元素会发生氧化反应，导致胶体表面氧元素增加。

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2021年第21卷第7期 pp. 070402

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基于导通延迟补偿的并联MOS栅控晶闸管均流方法研究

袁榕蔚;刘超;陈万军

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0714

摘要（196）

PDF （1700KB）（151）

阴极短路MOS栅控晶闸管(CS-MCT)在电容型脉冲功率系统中应用广泛，但面临电流极限的问题，尤其在大电容高电压条件下，这就需要解决MCT器件并联均流的问题。首先通过理论和仿真分析栅驱动电阻对并联均流的影响，并通过导通延迟补偿法对器件均流进行改善。再通过测试验证MCT并联可以提高电流极限，并通过测试验证导通延迟补偿法可以改善器件均流特性。

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2021年第21卷第7期 pp. 070403

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ONO反熔丝器件可编程特性研究

潘福跃;张明新;曹利超;刘佰清;洪根深;张海良;刘国柱

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0715

摘要（193）

PDF （2995KB）（178）

ONO反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性，一直用于抗辐射可编程逻辑器件。基于0.6 μm CMOS工艺，分别采用“AF+MOS”和“MOS+AF”集成方法成功制备了ONO反熔丝器件，研究了ONO反熔丝阵列单元编程特性、导通电阻与编程电流以及编程时间之间的关系，同时对两种典型编程通路的编程特性进行特征化表征，最后考察了反熔丝单元编程前后的电应力可靠性。研究结果表明，采用“AF+MOS”集成方法制备的ONO反熔丝器件具有优良的击穿均匀性和编程特性。

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2021年第21卷第7期 pp. 070404

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基于Minitab的宇航集成电路质量控制方法

何磊;蔡媛媛;魏然;戴莹;吕栋;虞勇坚

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0608

摘要（217）

PDF （1257KB）（255）

在宇航集成电路筛选及考核检验环节，加强对关键测试参数的数据分析及判别，严格控制关键参数在批次内和批次间的一致性，是宇航集成电路的重要质量控制方法之一。运用Minitab软件分析宇航集成电路筛选过程中测试数据的稳定性和数据分布，评价测试过程能力。通过对宇航集成电路测试数据的过程能力分析，评估测试程序的开发质量好坏，对宇航集成电路的质量不断改善具有指导意义，同时为GJB3014等军标体系的具体实施提供参考。

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2021年第21卷第6期 pp. 060401

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掩模制造用量测设备工件台结构研究

华卫群;尤春;薛文卿

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0613

摘要（207）

PDF （1720KB）（168）

高精密量测机台在量测过程中，温度波动和支撑地板震动均会影响量测精度。选用合适的量测设备、工件台材料以减弱温度波动的影响。其次，选用装备减震功能的部件以提高量测工件台的平稳性。再次，采用气悬浮移动工作平台减少摩擦力以提升量测精度。最后，量测设备工件台结构和零部件组合的几何精度分析结果表明，高精密量测机台的水平/垂直直线性上移动小于2 μm，气悬浮平台的悬浮间隙误差小于1 μm。

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2021年第21卷第6期 pp. 060402

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反熔丝型FPGA电路过电应力失效分析

郑若成;王印权;孙杰杰;田海燕;郑良晨;吴素贞

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0614

摘要（232）

PDF （2486KB）（261）

反熔丝电路作为航天领域广泛使用的核心芯片，其失效机理及是否与反熔丝器件相关尤为重要。对某款反熔丝电路电源过应力失效问题进行机理分析，同时通过逻辑分析并配合EMMI、红外等分析手段，对失效点进行物理定位。在此基础上，进一步通过FIB和SEM观察到时钟网络中某NMOS管漏结及布线发生了严重的电迁移，对电源过应力引起NMOS管漏结及布线电迁移失效进行了验证。针对该失效问题的预防措施，对引起电源毛刺的失效电容进行更换并确认，对电路失效部位版图进行抗电迁移版图加固，经过验证相关措施切实有效。

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2021年第21卷第6期 pp. 060403

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0.25 μm掩模制造中激光直写参数的优化研究

袁卓颖;华卫群;刘浩

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0615

摘要（214）

PDF （2037KB）（225）

主要介绍了激光直写的工艺原理和主要的直写参数，通过试验的方式，对0.25 μm掩模制造中的激光直写参数束斑剂量、焦距、每束光的剂量、光束一致性以及拼接进行分析和优化，最终确定最佳的工艺参数，使得掩模条宽（CD）均匀性提高近20 nm。

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2021年第21卷第6期 pp. 060404

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电流垂直流动集成大功率PIN限幅MMIC技术

彭龙新;戴家赟;王钊;贾晨阳

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0616

摘要（179）

PDF （1732KB）（209）

提出了一种电流垂直流动的纵向导电PIN二极管集成限幅器。根据功率要求，确定了PIN的P⁺、I和N⁺层浓度和厚度等参数，并设计了工艺实现方案和加工方法，成功研制的SiC衬底Si PIN限幅器面积为3.3 mm×3.1 mm，在3.5 GHz频率下，能够持续承受200 W连续波功率，300 W、400 W、500 W、600 W、700 W不同脉冲功率各10 min，且输出漏电平仅为10.3～13.7 dBm。受接头和电缆等功率承受能力的限制以及大功率源的缺乏，没能往更大功率进行实验。测试结果验证了电流垂直PIN异质集成的可行性和PIN二极管纵向导电构思的先进性，大幅提高了功率容量密度和功率承受能力。

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2021年第21卷第6期 pp. 060405

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电子器件自毁技术

周立彦;朱思雄;王剑峰

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0604

摘要（348）

PDF （5324KB）（465）

电子器件存储信息及其核心制造工艺的安全防护至关重要，而对器件实施物理毁坏是最彻底的防护方法。介绍了不同类型的电子器件自毁技术，包括可降解瞬态电子技术、应力破坏、化学腐蚀以及含能材料热毁伤，对不同类型自毁技术的适用性和局限性进行了论述和比较，阐述了电子器件自毁技术的发展前景。

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2021年第21卷第6期 pp. 060406

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深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计

米丹;周昕杰;周晓彬;何正辉;卢嘉昊

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0509

摘要（298）

PDF （1151KB）（258）

在集成电路设计领域，绝缘体上硅（SOI）工艺以其较小的寄生效应、更快的速度，得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应（SHE）的影响，其静电放电（ESD）防护器件设计成为一大技术难点。当工艺进入深亚微米技术节点，基于部分耗尽型SOI（PD-SOI）工艺的ESD防护器件设计尤为困难。为了提高深亚微米SOI工艺电路的可靠性，开展了分析研究。结合SOI工艺器件的结构特点，针对性地进行了ESD防护器件选择，合理设计了器件尺寸参数，并优化设计了器件版图。使用该设计的一款数字电路，通过了4.5 kV人体模型（HBM）的ESD测试。该设计有效解决了深亚微米SOI工艺ESD防护器件鲁棒性弱的问题。

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2021年第21卷第5期 pp. 050401

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多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究

孙建洁;张可可;许帅;张明

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0407

摘要（209）

PDF （1277KB）（151）

通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析，对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案，使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6~0.8 nm。同时，对基区与发射区退火工艺进行优化，使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30%改善至20%，片间均匀性从12%改善至9%，显著提升了产品的成品率。

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2021年第21卷第4期 pp. 040401

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基于LTCC的微流道散热技术

胡海霖;刘建军;张孔

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0409

摘要（375）

PDF （2086KB）（399）

简要介绍了在LTCC（低温共烧陶瓷）基板中制作微流道结构对电路散热的必要性，建立3种不同结构微流道LTCC基板有限元模型并对其进行了热-流耦合仿真，分别分析不同结构、流体流速及进出口截面对散热性能的影响。基于仿真结果制备实物，实测结果表明14 W/cm²热流密度下最高温升124.3 K，在设定水流流速为0.012 m/s后温升降低到71.1 K，与仿真结果基本吻合，散热效果显著。

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2021年第21卷第4期 pp. 040402

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MRAM空间粒子辐射效应关键技术研究

杨茂森;周昕杰;陈瑶

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0411

摘要（392）

PDF （3054KB）（298）

磁性随机存储器（MRAM）以其天然的抗辐射特性逐渐成为宇航电子系统的核心元器件之一。围绕MRAM空间粒子辐射效应关键技术，对MRAM辐射效应的研究背景、物理机制、研究方法等内容进行了论述。目前对MRAM的辐射效应研究主要集中在对商用MRAM芯片的辐射性能进行辐射实验评价，评价内容主要包括质子、中子、γ射线等空间粒子对芯片存储数据翻转率的影响。借助于TEM、AFM、XRR及探针等技术对辐射前后的磁隧道结（MTJ）的界面态进行表征，探究离子辐射对MTJ内部结构的影响，揭示出辐射损伤物理机制。除了辐射实验及电镜表征外，通过创建MTJ的电路或TCAD模型，模拟外围读写电路的辐射效应，可以实现整个MRAM芯片的抗辐射性能评估，同时也可以降低重复试验的成本，提高研究效率。

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2021年第21卷第4期 pp. 040403

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一种高压模拟开关漏电失效解决方法

黄立朝;阎燕山;程绪林;张如州

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0412

摘要（355）

PDF （1014KB）（189）

高压模拟开关在现代超声领域发挥关键作用。综合考量传输速度、导通电阻、通道隔离度等性能指标，利用红外热成像技术解决了电路漏电的失效问题。该技术包括红外热成像、漏电失效分析、漏电测试、器件原理分析及漏电解决方案等措施，提出了高压模拟开关器件漏电失效问题的通用解决方法，对高压模拟开关漏电失效问题的解决具有较高的参考价值。另外，该方法通过对器件内部工艺结构的分析，发现了器件漏电失效的本质因素，对后续器件工艺结构的改进具有一定的指导意义。

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2021年第21卷第4期 pp. 040404

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功率集成器件及其兼容技术的发展^*

乔明;袁柳

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0414

摘要（473）

PDF （28084KB）（694）

功率集成器件在交流转直流（AC/DC）电源转换IC、高压栅驱动IC、LED驱动IC等领域均有着广泛的应用。介绍了典型的可集成功率高压器件，包括不同电压等级的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS）以及基于硅和SOI材料的横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT），此外还介绍了高低压器件集成的BCD工艺和其他的功率集成关键技术，包括隔离技术、高压互连技术、dV/dt技术、di/dt技术、抗闩锁技术等，最后讨论了功率集成器件及其兼容技术的发展趋势。

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2021年第21卷第4期 pp. 040405

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基于二维半导体材料光电器件的研究进展^*

徐春燕, 南海燕, 肖少庆, 顾晓峰

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0302

摘要（1028）

PDF （5118KB）（935）

近年来，二维半导体材料因其独特的晶体结构和优良的电子、光电特性吸引了众多科研人员的关注。利用这些材料作为有源沟道，制备出了许多新颖的器件结构，性能较传统器件有很大的提升。在各种器件应用中，基于二维材料的光电探测器由于能够实现红外及太赫兹波段的光探测，得到了最为广泛的研究。综述了近年来二维材料在光电器件领域的应用，介绍了光电探测器的主要参数，从电极制备、异质结构筑、量子点和分子掺杂、表面等离激元耦合以及界面屏蔽5方面介绍了目前在二维材料中调控光电性能的方法，对已有方法进行了总结，并且对未来的发展进行了讨论。

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2021年第21卷第3期 pp. 030401

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低压调整二极管击穿特性分析与优化设计

陈正才, 彭时秋, 林丽, 黄龙

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0309

摘要（310）

PDF （1775KB）（151）

介绍了采用平面结构设计与Si外延工艺制造低压调整二极管的技术。该技术论证了Si平面结型5.1 V低压调整二极管的击穿机理为隧道击穿，同时设计了一种新型Si平面结型低压调整二极管的结构，以及与此结构相匹配的工艺制程，进而实现5.1 V击穿电压特性为硬击穿。此硬击穿优化的关键是对结构设计、氧化工艺的深度研究。

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2021年第21卷第3期 pp. 030402

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基于SOI工艺的二极管瞬时剂量率效应数值模拟

冒国均, 边炜钦, 薛海卫, 杨光安

DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0310

摘要（313）

PDF （2232KB）（199）

为研究SOI MOS器件中寄生PN二极管在瞬时剂量率辐射下产生的光电流效应，采用TCAD工具，对0.13 μm SOI工艺的PN二极管进行建模，数值模拟了二极管光电流变化与不同瞬态γ剂量率辐照之间的关系。通过模拟PN+型、P+N型两种二极管结构在不同偏置电压、不同剂量率辐射下的抗瞬时剂量率辐射能力，可以得出当瞬时剂量率为1×10¹⁴rad(Si)/s时，二极管在辐照下产生的光电流增量为辐照前的20%左右。该结论为集成电路器件的抗瞬时剂量率设计与仿真提供了数值参考。

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2021年第21卷第3期 pp. 030403

中国半导体行业协会封装分会会刊

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