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程佳佳1,鞠苏1,贺雍律1,张鉴炜1,靳启锋1,吴之涵1,尹昌平1,邢素丽1,李轶楠2,段科1
CHENG Jiajia1, JU Su1, HE Yonglu1, ZHANG Jianwei1, JIN Qifeng1, WU Zhihan1, YIN Changping1, XING Suli1, LI Yinan2, DUAN Ke1
摘要: 积层绝缘膜作为先进封装技术的关键材料,其性能直接决定了芯片系统的可靠性与信号传输速率。然而,高铜附着力、低热膨(CTE)、低介电与优异加工性这四大核心指标间存在深层物理化学冲突,构成了难以逾越的“性能四边形”困境。本文首先综述了传统积层绝缘膜研发在低介电树脂设计、填料/树脂界面调控以及高填充复合工艺实现等方面的主流策略与研究进展。在此基础上,进一步从分子与介观层面深入剖析了制约性能协同提升的关键问题,即“极性需求冲突”(附着力和介电)与“填充-流动矛盾”(热膨胀系数和粘度)。为突破传统试错法的局限性,本文进而阐述了人工智能(AI)如何通过多尺度协同设计,为解决上述挑战提供颠覆性路径,并指出了AI赋能研发需解决的关键问题。最后,对未来积层绝缘膜材料的发展趋势和技术方向进行了展望。