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(按年度、期号倒序)     一年内发表的文章 |  两年内 |  三年内 |  全部 Please wait a minute... 全选： 导出引用 EndNote Ris BibTeX Select 基于0.18 μm BCD工艺的抗辐射ESD防护器件GGNMOS优化设计 陆素先, 程淩, 朱琪, 李现坤, 李娟, 严正君 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0072 Select 镍电极MLCC排胶后残碳量及其电性能研究 蒋晋东，易凤举，陈沫言，程淇俊 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0003 摘要 （15）      PDF （1336KB）（8）    可视化    多层陶瓷电容（MLCC）固有的坯体有机物残留导致产品可靠性低，其主要原因是排胶不充分。通过改变排胶工序的不同工艺条件，使用硫碳分析仪对排胶后坯体残碳量进行量化，结合破坏性物理分析、扫描电镜对烧成后的产品进行结构分析，并对成品进行电性能测试，探索残碳量与成品的电极连续性、电性能及可靠性之间的联系。结果表明通过增大气体交换、降低排胶升温速率、延长保温时间等手段可有效降低排胶后的残碳量，烧成MLCC的内电极连续性变得更好，容量和击穿电压等电性能数据得到提升，介质层变得更致密，使用寿命延长。所探讨的测定排胶充分性以及增加排胶充分性的方法可为MLCC工业生产中的排胶作业提供参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010401 Select 基于纳米铜膏的导电结构激光并行扫描烧结成型技术* 王文哲，李权震，余胜涛，笪贤豪，何伟伟，杨冠南，崔成强 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0016 摘要 （19）      PDF （1851KB）（14）    可视化    针对柔性基板中导电结构的快速成型，对纳米铜膏的多道激光并行扫描烧结技术进行了优化。探究了不同功率和填充间距对激光烧结过程中的纳米铜膏烧结形貌和电阻率的影响，得出最佳的工艺参数。适当缩小间距可提高烧结程度和导电性，但间距过小易导致基板过热。实验结果表明，最佳工艺参数组合为功率170 mW、间距10 μm、光斑直径15 μm，此时烧结线路呈现金属铜色，并形成网状烧结结构，测得电阻率为5.32×10－6 Ω·cm。对比聚酰亚胺（PI）和聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜在激光烧结过程中的效果，分析了基板的耐热性和透光性对烧结效果的影响机理，为后续清洗工艺提供可行性参考。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2025年第25卷第1期 pp. 010402 Select GaN功率放大器输出功率下降失效分析 张茗川, 戈硕, 袁雪泉, 钱婷, 章勇佳, 季子路 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2025.0017 Select GaN HEMT器件表面钝化研究进展* 陈兴, 党睿, 李永军, 陈大正 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0168 摘要 （142）      PDF （1867KB）（183）    可视化    作为第三代半导体材料之一，GaN凭借其优异的材料特性，如较高的击穿场强、较高的电子迁移率以及较好的热导率等，在制备高频、高功率及高击穿电压的AlGaN/GaN HEMT器件方面得到广泛应用。然而，目前电流崩塌、栅泄漏电流、频率色散等一系列可靠性问题制约着AlGaN/GaN HEMT器件的大规模应用。表面钝化被认为是改善这些问题最有效的方法之一。对电流崩塌、界面态等的测试表征方法等进行了总结，综述了目前GaN表面钝化的研究进展。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第12期 pp. 120401 Select GaN P沟道功率器件及集成电路研究进展* 朱霞, 王霄, 王文倩, 李杨, 李秋璇, 闫大为, 刘璋成, 陈治伟, 敖金平 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0152 摘要 （172）      PDF （2554KB）（183）    可视化    GaN功率器件具有导通电阻小、开关速度快、击穿电压高等特点，已广泛应用于高频、高功率的电力电子转换器中。为充分发挥GaN器件的性能优势，将功率电子器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成是最小化寄生参数的有效手段，也是GaN功率集成电路的重要发展方向。着眼于利用二维空穴气（2DHG）的GaN基P型器件的发展进程，论述了P型器件面临的技术难题，进一步分析了其对于GaN互补逻辑电路集成发展的重要性，讨论了相关的GaN集成工艺平台，对器件结构及制备工艺的创新、GaN集成技术面临的相关挑战进行了分析与展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110401 Select 金刚石离子注入射程及损伤的模拟研究 袁野, 赵瓛, 姬常晓, 黄华山, 倪安民, 杨金石 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0153 摘要 （60）      PDF （2107KB）（36）    可视化    摘 ?要：离子注入法作为改善半导体材料表层电学性能的有效方法，被应用于金刚石基半导体器件的制造过程中。使用SRIM软件模拟并研究了Ar+、N+、B+、P+、As+等离子在不同能量（20 ~300 keV）和不同入射角度（0°~40°）下注入金刚石时的射程，及其对金刚石造成的损伤，结果表明，离子的种类、能量和注入角度均是影响离子射程和造成靶材损伤的重要因素，且各有其影响规律。通过改变这些参数，能够精准控制注入离子在金刚石中的射程和靶材损伤程度，为相关科研生产工作提供指导。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110402 Select 用于Si-APD的高能注入工艺优化研究 刘祥晟，荆思诚，王晓媛，张明，陈慧蓉，潘建华，朱少立 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0161 摘要 （49）      PDF （1311KB）（36）    可视化    雪崩区注入能量对硅基雪崩光电二极管性能影响极大，大束流高能注入的工艺需求极高的设备成本。通过理论仿真计算和实验流片，调整雪崩区的注入能量和改善雪崩区的扩散时间，将注入能量从600 keV降低到390 keV，并在低成本的中束流离子注入机上对比验证。优化前后的器件性能都满足规范要求，参数上无明显差异。工艺方法简单可控，能有效降低注入设备成本，提升硅基雪崩光电二极管产能。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第11期 pp. 110403 Select 无助焊剂甲酸回流技术在铜柱凸点回流焊中的应用 刘冰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0133 摘要 （258）      PDF （1723KB）（224）    可视化    摩尔定律放缓，先进制程逼近物理极限，先进封装朝连接密集化、堆叠多样化和功能系统化方向发展，这一趋势使得铜柱凸点互连可靠性更具挑战性。回流焊是形成铜柱凸点的关键工艺，回流后凸点质量对于互连可靠性至关重要。对传统助焊剂回流用于铜柱凸点回流焊的劣势进行了简要阐述，综述了甲酸回流技术用于铜柱凸点回流焊的可行性，重点从还原效果、焊料润湿性、清洁性方面进行评述。概述了甲酸回流技术的原理和工艺流程，总结了其相较于助焊剂回流技术在产品质量、成本等方面的优势，并介绍了当下处于研究阶段的2种新型无助焊剂回流技术，展望了回流技术的未来发展趋势。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第10期 pp. 100401 Select 导电胶加速寿命模型评价方法研究 文科;谭骁洪;邢宗锋;罗俊;余航 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0113 摘要 （143）      PDF （813KB）（152）    可视化    简要介绍了导电胶的失效模式和机理，设计加速寿命试验对导电胶工艺可靠性开展研究，选取导电胶工艺中的关键参数进行正交试验，确定温度应力作为导电胶贴装失效的加速应力。采用定时截尾方法进行试验，利用Arrhenius模型对试验结果进行分析，建立导电胶加速寿命可靠性评价模型，最终完成了对导电胶加速寿命可靠性模型的评价，为导电胶工艺在半导体集成电路中的应用和可靠性改进提供依据。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090401 Select 厚膜印刷陶瓷基板的版内电阻一致性改进 焦峰;邹欣;陈明祥 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0114 摘要 （129）      PDF （1672KB）（109）    可视化    使用丝网印刷工艺生产厚膜印刷陶瓷基板时，经常会出现版内不同区域印刷电阻不一致的问题。通过对丝网印刷过程中的网版张力、回弹力以及刮刀下压力的综合分析，得出印刷在承印物上的浆料量与网版张力、回弹力及下压力的合力成正相关的关系，进而分析得到刮刀印刷方向对于线型电阻的印刷有较大影响。经实验验证，相较于传统的刮刀平行于线型电阻长度方向印刷，当刮刀垂直于线型电阻长度方向进行印刷时，版内电阻漂移率从11.24%缩窄至4.46%，产品印刷电阻一致性得到较大程度的改善，可满足产品公差上下限要求，避免了昂贵的激光修阻工艺，节约了成本。通过实验证明对于复杂图形，线条取向与刮刀印刷方向的相互关系对浆料分布的均匀性有明显影响，复杂图形也验证了该结论的普适性。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第9期 pp. 090402 Select FinFET/GAAFET/CFET纳电子学的研究进展 赵正平 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0094 摘要 （353）      PDF （3676KB）（276）    可视化    集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管（FinFET）纳电子学时代向原子水平上的埃米时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点，FinFET、环栅场效应晶体管（GAAFET）和互补场效应晶体管（CFET）纳电子学的发展历程和最新进展。在FinFET纳电子领域综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状，包含覆盖了22 nm、14 nm、10 nm、7 nm和5 nm 5个发展代次的创新特点和3 nm技术节点的创新和应用。在GAAFET纳电子学领域综述并分析了各类GAAFET的结构创新，2 nm技术节点的关键技术突破，3 nm技术节点的多桥沟道场效应晶体管技术平台创新与应用，以及GAAFET有关工艺、器件结构、电路和材料等方面的创新。在CFET纳电子学领域综述并分析了CFET技术在器件模型、堆叠工艺、单胞电路设计和三维集成等方面的创新，展现出CFET超越2 nm技术节点的发展新态势。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080401 Select 嵌入分段半超结的p-栅增强型垂直GaN基HFET* 杨晨飞,韦文生,汪子盛,丁靖扬 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0096 摘要 （61）      PDF （4209KB）（65）    可视化    元胞面积相同的增强型垂直GaN/AlGaN异质结场效应管比横向HFET能承受更高的电压和更大的电流，适用于大功率领域，但在耐压时漂移区场强峰值高而容易提前击穿。提出了一种嵌入分段半超结的增强型垂直HFET，利用p型掺杂GaN栅和p+型掺杂GaN电流阻挡层抬高GaN/AlGaN异质结导带至费米能级之上，在栅压为0时夹断异质结的2DEG沟道，实现增强功能；在漂移区两侧插入2段p-GaN柱，形成p/n/p型离散半超结，改善电场均匀性。采用Silvaco TCAD软件模拟了Al组份、CBL浓度、p-GaN柱的宽度和厚度等参数对器件性能的影响。结果表明，相比于包含普通半超结的HFET，本器件的击穿电压提升了8.67%，静态品质因数提升了11.25%，导通延时缩短了16.38%，关断延时缩短了3.80%，可为设计高性能HFET提供新思路。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080402 Select 基于氮化铝陶瓷的收发组件射频信号拖尾研究 赵俊顶;任屹灏;陈晓青;张端伟;陈家明 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0098 摘要 （67）      PDF （1076KB）（66）    可视化    以收发组件为应用背景，发现基于氮化铝陶瓷基板的射频电路导致射频信号拖尾，而射频信号拖尾时间直接影响接收通道限幅恢复时间，进而严重影响收发系统的接收灵敏度。研究发现氮化铝陶瓷是一种压电半导体材料，在射频信号传输过程中会产生压电效应，进而导致射频信号拖尾，传输功率越大产生的压电效应越强、射频信号拖尾时间越长。研究成果对于大功率收发组件电路基板选用具有理论指导意义和工程应用价值，特别是在高精测高、超近测距等雷达应用领域。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第8期 pp. 080403 Select 内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件* 陈泓全,齐钊,王卓,赵菲,乔明 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0081 摘要 （67）      PDF （1548KB）（54）    可视化    针对传统可控硅（SCR）器件触发电压高、维持电压低、闩锁风险大等问题，提出了一种内嵌NPN结构的高维持电压SCR器件。维持电压由传统器件的1.2 V显著增大到10.3 V。与传统结构相比，该新型SCR结构体内存在2条电流路径，通过嵌入的NPN电流路径延缓了器件中寄生PNP管的开启过程，抑制了SCR结构里NPN与PNP的正反馈过程，使得SCR电流路径在电流较大时才能完全开启，从而达到提高维持电压的目的。基于半导体器件仿真软件，模拟了器件在直流下的电学特性，分析其工作机理并讨论了关键器件参数对其电学特性的影响。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070401 Select STT-MRAM存储器数据保持试验方法研究 杨霄垒，申浩 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0069 摘要 （88）      PDF （1066KB）（49）    可视化    自旋转移力矩磁随机存储器（STT-MRAM）的基本存储单元结构为磁性隧道结（MTJ），该单元的热稳定性会随着温度的升高而变弱。MTJ这一特性导致传统激活能计算模型无法直接应用于STT-MRAM的高温数据保持特性测试，因此研究STT-MRAM的数据保持特性需探究可替代其激活能的参数。为此，搭建了基于Xilinx Kintex-7系列FPGA的测试系统，进行了多个温度数据保持试验，最终拟合出一个代替激活能来衡量STT-MRAM数据保持能力的参数，即热稳定因子。该多温度数据拟合热稳定因子的方法可有效评估STT-MRAM器件数据保持能力。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070402 Select 大尺寸厚层硅外延片表面滑移线缺陷检验研究 葛华,王银海,杨帆,尤晓杰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0073 摘要 （107）      PDF （2045KB）（76）    可视化    目前制约大尺寸厚层硅外延产品高质量生产的主要因素是表面滑移线，而滑移线的过程控制严重依赖于滑移线的完整、准确检验识别。通过对不同宏观显现的滑移线表征方法的研究，比较了各类检验的误差来源，分析出了影响硅外延滑移线量化计算的主要因素，制定了科学合理的检验策略，提高了批量生产过程中滑移线检验的准确性与稳定性，取得了显著成效。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第7期 pp. 070403 Select 一种抗辐射Trench型N 30 V MOSFET器件设计 廖远宝,谢雅晴 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0051 摘要 （88）      PDF （1696KB）（87）    可视化    由于Trench结构在降低元胞单元尺寸、提升沟道密度和消除JFET区电阻等方面的优势，Trench型MOSFET已广泛应用于低压产品领域。在研究抗辐射机理和抗辐射加固技术的基础上，设计了一款新型抗辐射Trench型N 30 V MOSFET器件。实验结果显示，产品击穿电压典型值达42 V，特征导通电阻为51 mΩ·mm2。在60Co γ射线100 krad(Si)条件下，器件阈值电压漂移仅为-0.3 V，漏源漏电流从34 nA仅上升到60 nA。采用能量为2006 MeV、硅中射程为116 μm、线性能量传输（LET）值为75.4 MeV·cm2/mg的118Ta离子垂直入射该器件，未发生单粒子事件。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第5期 pp. 050401 Select 基于GaN FET的窄脉冲激光驱动设计及集成 胡涛,孟柘,李锋,蒋衍,胡志宏,刘汝卿,袁野,朱精果 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0055 摘要 （109）      PDF （1584KB）（110）    可视化    激光雷达的整机性能与激光脉冲的驱动性能密切相关，现有的窄脉冲激光驱动设计主要基于Si基器件，具有较高的集成度，但很难获得更高峰值的功率输出，不能很好地匹配脉宽进一步缩窄的要求。从驱动理论出发，建立驱动电路模型，对寄生电感、器件封装、驱动布局等影响激光窄脉宽的因素进行分析，通过裸芯片封装、环路布局优化以及多层叉指结构等的设计，匹配GaN FET优良的开关特性，实现了上升时间为2.01 ns、脉宽为4.05 ns、重复频率为500 kHz、峰值功率为55 W的窄脉冲激光输出，波形质量较好，封装集成度提升50%以上，可为下一代高精度、远距离、阵列集成激光雷达系统的开发奠定基础。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第5期 pp. 050402 Select N多晶电阻的温度漂移影响因子及工艺研究 陈培仓,周凌霄,洪成强,王涛,吴建伟 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0070 摘要 （70）      PDF （1089KB）（68）    可视化    多晶电阻在集成电路中应用广泛，可用作电路负载、阻尼、分压或分流，但是在实际使用过程中，多晶掺杂电阻的阻值由载流子浓度和迁移率决定，而2者都会受到温度的影响，因此多晶电阻的阻值随温度的变化而变化，且存在一定的温度系数。对N多晶电阻的温度漂移影响因子展开研究并进行分组实验验证，制备出了温度系数在±10×10-6/℃以内的低温度漂移、高精度半导体N多晶电阻，保证了不同温度环境下电路的工作稳定性，为高稳定电路设计了提供参考依据。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第5期 pp. 050403 Select 忆阻器基神经形态计算器件与系统研究进展 郭文斌,汪泽清,吴祖恒,蔺智挺 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0017 摘要 （214）      PDF （3251KB）（217）    可视化    忆阻器作为新原理器件，与现有互补金属氧化物半导体（CMOS）器件相比，具有结构简单、集成密度高、微缩性好、操作能耗低、易于三维集成等优点，是实现神经形态计算技术的理想存储器件之一。对近年来忆阻器基神经形态计算技术的研究进展进行综述，包括忆阻器基神经突触和神经元功能实现以及忆阻器基神经形态计算系统研究进展，并对当前忆阻器基神经形态计算技术仍然面临的挑战进行总结，对其前景做了展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第4期 pp. 040401 Select 先进制程芯片失效定位技术现状及发展* 李振远,徐昊,贾沛,万永康,张凯虹,孟智超 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0041 摘要 （190）      PDF （2285KB）（256）    可视化    芯片工艺节点从2011年的28/22 nm、2015年的16/14 nm正向3/2 nm演进，晶体管的结构也由平面金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）转向立体的鳍式场效应晶体管（FinFET）。失效定位是芯片失效分析中承上启下的关键一步，随着芯片工艺制程的减小、晶体管结构的转变，传统失效定位技术在定位精度上已不能满足需求。为适应市场变化，先进制程芯片的失效定位技术也有了对应的发展和突破。重点介绍了先进制程芯片中常见的电子、光学失效定位技术，通过原理、案例明确各种技术的优缺点及优先适用的失效模式，并对未来的定位技术发展进行了展望。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第4期 pp. 040402 Select OLED掩模版Mura缺陷分析与改善 束名扬,张玉星,袁卓颖 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0033 摘要 （139）      PDF （1096KB）（71）    可视化    Mura缺陷管控作为关键技术指标直接决定着OLED器件的显示画质与良品率。针对OLED掩模版生产过程中发生的Mura缺陷，通过Mura不良分析发现这种缺陷与阵列像素单元邻近辅助图形有关，并在显影工艺后表现出阵列像素单元关键尺寸（CD）不均匀与宏观色差。依据显影工艺分析，基于旋喷式显影模式提出了一种分步显影方案，实验测试分析了显影液流速、旋转速度、纯水流速以及纯水/显影液过渡时间等工艺参数对Mura缺陷的影响。通过优化显影工艺，实现阵列像素单元CD不均匀性优于120 nm，阵列像素单元边缘Mura不良区域由大于3%降低至无视觉可见Mura，结果表明该工艺方案可以显著改善Mura缺陷。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第3期 pp. 030401 Select BCD工艺中大电流下纵向双极晶体管的电流集边效应研究 彭洪,王蕾,谢儒彬,顾祥,李燕妃,洪根深 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0035 摘要 （96）      PDF （1251KB）（73）    可视化    在大电流条件下，随着电流密度的增加，发射区结电流集边效应、基区电导调制效应、基区展宽效应会随之出现。基于研究单位的BCD工艺，在集成CMOS和DMOS的基础上集成功率纵向NPN双极晶体管用于输出。设计了75 μm×4 μm、50 μm×6 μm、30 μm×10 μm三种不同尺寸的发射极并进行TCAD仿真研究。在发射极面积相同的情况下，发射极长宽比越小，TCAD可观察到的电流集边效应越严重，最终流片并进行测试验证，得出75 μm×4 μm的细长结构尺寸能够提升晶体管在大电流下的放大能力，较30 μm×10 μm的结构提升约11.4%。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第3期 pp. 030402 Select 碳纳米管场效应晶体管重离子单粒子效应研究 翟培卓;王印权;徐何军;郑若成;朱少立 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0002 摘要 （123）      PDF （1534KB）（164）    可视化    碳纳米管场效应晶体管（CNT FET）具备优良的电学性能和稳定的化学结构，表现出较强的恶劣环境耐受能力，但其抗辐射性能仍缺乏充足的试验验证。以超薄CNT为沟道材料、HfO2为栅介质层的CNT FET为对象，研究了209Bi重离子辐射引起的器件单粒子效应（SEE）。研究结果表明，在重离子辐射条件下，栅极单粒子瞬态电流大多处于10-11 A数量级，少数达10-10 A数量级；由于CNT FET具有纳米级超薄CNT沟道，漏极电流对单粒子辐射不敏感，漏极单粒子瞬态电流几乎可以忽略，无单粒子烧毁效应（SEB）；得益于HfO2栅介质层，CNT FET未发生单粒子栅穿效应（SEGR），表现出较强的抗单粒子能力。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第1期 pp. 010401 Select ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析 徐卫东;肖健;何晶;袁夫通 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0005 摘要 （252）      PDF （1022KB）（84）    可视化    ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中，晶圆背面有时会出现异常背圈的现象，包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现，背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生，进行了滑片、气流、温度、时间等相关参数的实验验证，得到背圈形成的原因及异常背圈产生的原因。晶圆经900 ℃烘烤60 s就会形成背圈，这是外延过程中的正常现象，但是不规则的背圈通常伴随着其他外延工艺参数的同步变差，异常背圈可以通过调整工艺参数、设备滑片、跳片以及更换石墨件来解决。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第1期 pp. 010402 Select GaN薄膜的太赫兹光谱响应研究 韩烨;王党会;许天旱 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0007 摘要 （80）      PDF （1035KB）（72）    可视化    目前，太赫兹时域光谱（THz-TDS）已经成为研究固体光学参数及色散关系的有效工具。采用太赫兹时域光谱仪对纤锌矿结构GaN薄膜在0~8.0 THz范围内的吸收光谱、介电常数、折射率以及介电损耗等进行了研究。研究结果表明，频率为4.65 THz的太赫兹响应是由GaN的E2（low）声子振动模式主导的，获得的低频介电常数8.9和高频介电常数6.0与理论值接近；进一步研究了频率在4.24~4.40 THz之间的太赫兹介电常数响应谱，获得的GaN薄膜的中心振动频率与太赫兹吸收光谱一致，介电损耗值很小且逐渐趋近于0，表明GaN有良好的介电特性。得出的结论拓展了GaN基电子元器件在THz波段中的应用，对进一步研究GaN基电子元器件在THz波段的质量与可靠性具有借鉴意义。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第1期 pp. 010403 Select GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究* 朱峻岩;张优;王鹏;黄伟;张卫;邱一武;周昕杰 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0010 摘要 （163）      PDF （1764KB）（196）    可视化    创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究，提取的单粒子激励电流首次被加载用于全GaN的低压差线性稳压器（LDO）稳压电路的单粒子设计中，获得了该电路单粒子敏感节点，最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态（SET）响应分别为500 mV/60 ns，1210 mV/60 ns。上述研究建立起GaN器件-全GaN基电路的T-CAD/SPICE单粒子效应协同设计方法。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第1期 pp. 010404 Select 红外发光二极管对固体继电器漏电流的影响 李建华;闫军政;宋伟;洪浩 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0013 摘要 （111）      PDF （924KB）（49）    可视化    固体继电器在军工和民用市场被使用得越来越广泛，大量替换了传统的电磁继电器，并且固体继电器的隔离方式也从变压器隔离向着光隔离转变，光隔离固体继电器已经成为很多厂家的设计主流。光隔离固体继电器被大量使用，但是在使用红外发光二极管等发光器件时，如果选择的红外发光二极管的波长和输出场效应管的禁带宽度不匹配，处理不当时会造成固体继电器的输出漏电流超标。通过光电效应分析了红外发光二极管对固体继电器输出漏电流的影响，通过试验测试验证了这种影响机理，并提出了改进方法。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第1期 pp. 010405 Select 基于ASM E2000外延炉温控系统的电压校准研究 徐卫东;任凯;何晶;肖健;冯萍 DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0014 摘要 （95）      PDF （1181KB）（57）    可视化    ASM E2000外延炉采用可控硅（SCR）来控制加热灯管的输入电压，采用热电偶（TC）监测并反馈温度的方式进行加热。该机型的加热系统中，各项电压的校准精度决定了系统控制的温度精度。研究的温控系统可分为TC电路板和SCR电路板，对于TC信号处理板的电压校准，其校准精度应在±0.01 V；对于SCR控制信号的电压校准，其校准精度应在±0.001 V；对于SCR输出的电压校准，应优先测量进电电压，根据负载和进电电压的具体情况做出调整，其校准精度应在±1 V。这样的校准方法可以有效、精准地控制生长温度，并使机台间的差异性达到最小，提升机台的标准化能力。 参考文献 | 相关文章 | 多维度评价 2024年第24卷第1期 pp. 010406 跳至 页 第1页 共3页 共76条记录 首页 上一页 下一页 尾页