电子与封装

2026年第26卷第8期 pp.080201

X

罗亚东;姚小江. 2层无芯封装载板翘曲的研究与改善[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80201-.

LUO Yadong, YAO Xiaojiang. Research and Improvement of Warpage in 2-Layer Coreless Packaging Substrates[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80201-.

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添加剂对微电子正溴丙烷清洗剂性能的影响^*

蒋东廷;黄国平;刘颖潇;唐志旭;吴国强;王晓卫

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0077

摘要 ( 103 )

PDF(1936KB) ( 156 )

以正溴丙烷（nPB）为主要成分的清洗剂被广泛应用于微电子清洗领域，此类清洗剂中常常含有一定比例的添加剂来抑制nPB的分解和提升清洗能力。通过试验从浸润性、热稳定性、储存稳定性、材料兼容性和清洗效果5个方面分析不同添加剂成分对nPB清洗剂性能的影响。研究结果表明，硝基烷烃类添加剂可提升清洗剂的材料兼容性，但热稳定性较差；酚类添加剂可维持清洗剂的热稳定性，稳定效果优于硝基烷烃类；醇类添加剂可提升清洗剂的清洗效果，但会降低储存稳定性。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080202

X

蒋东廷;黄国平;刘颖潇;唐志旭;吴国强;王晓卫. 添加剂对微电子正溴丙烷清洗剂性能的影响^*[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80202-.

JIANG Dongting, HUANG Guoping, LIU Yingxiao, TANG Zhixu, WU Guoqiang, WANG Xiaowei. Effects of Additives on the Performance of nPB Cleaning Agents for Microelectronics[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80202-.

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两相浸没式冷却沸腾增强结构研究进展^*

武科伟;韩雅欣;吴佳伟;朱玥莹;刘强;季兴桥;郑德印

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0084

摘要 ( 124 )

PDF(2538KB) ( 245 )

随着AI和集成电路的快速发展，数据中心高性能计算芯片的热功率显著上升。两相浸没式冷却凭借优异的散热效率与绿色环保的节能特性，成为极具发展潜力的下一代数据中心散热解决方案。该技术利用冷却工质在芯片表面的相变，将热量以潜热的形式高效释放，其中影响相变效率的关键因素包括芯片表面润湿性和气泡动力学行为。总结微米尺度和纳米尺度结构对两相浸没式冷却性能的影响因素与增强机制，并对近几年微纳复合结构的研究成果进行整理对比，分析当前两相浸没式冷却技术的受限因素，进一步提出集成均热板式浸没式冷却方案，为未来的热管理技术发展提供参考。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080203

X

武科伟;韩雅欣;吴佳伟;朱玥莹;刘强;季兴桥;郑德印. 两相浸没式冷却沸腾增强结构研究进展^*[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80203-.

WU Kewei, HAN Yaxin, WU Jiawei, ZHU Yueying, LIU Qiang, JI Xingqiao,. Research Progress on Boiling Enhancement Structures for Two-Phase Immersion Cooling[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80203-.

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基于Die Bonding加工过程使用UV胶膜的调试方法研究与特性分析

杨智群;万邵山;丁洪涛;薛超

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0086

摘要 ( 193 )

PDF(1663KB) ( 225 )

半导体芯片贴装工艺中，部分产品使用紫外光（UV）照射解胶时，因紫外光照射时间过长导致的UV胶膜层分解脱落表现为肉眼可见的胶膜残留物，导致芯片表面沾污严重，造成引线键合作业困难和产品良率降低。通过实验设计方法，优化了紫外光的照射能量和时间窗口，并同步调整了贴片机顶针的高度，确保了UV胶膜在承受最小机械应力的情况下被均匀、高效地剥离。实验结果表明，优化后的工艺方案成功消除了UV膜脱落沾污现象，芯片贴片后的表面洁净度显著提升了90%，同时保证了芯片的捡拾效率和贴片良率，为高可靠性封装生产提供了有效的工艺解决方案。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080204

X

杨智群;万邵山;丁洪涛;薛超. 基于Die Bonding加工过程使用UV胶膜的调试方法研究与特性分析[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80204-.

YANG Zhiqun, WAN Shaoshan, DING Hongtao, XUE Chao. Debugging Methods and Characteristic Analysis of UV Adhesive Films in Die Bonding Processe[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80204-.

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弯液面限域电化学沉积在电子封装领域的应用^*

卢品静;雷雨;黄晓龙;余四文;程昱川;任勇;郭建军;孙爱华

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0088

摘要 ( 128 )

PDF(5441KB) ( 223 )

弯液面限域电化学沉积（MCED）技术作为一种新兴的增材制造技术，是一种在空气环境下即可实现限定区域内微米甚至纳米尺度金属结构的三维打印方法。其原理是在装有金属盐溶液的针尖与基底接触后建立的微/纳米尺度弯液面内发生氧化还原反应，金属离子在阴极表面被还原为金属单质，同时通过控制针尖与基底的相对运动，可以实现二维或三维金属结构的原位成型。影响弯液面限域电化学沉积的主要因素有针尖尺寸、电流密度、电解液组成、环境温湿度及打印速度等。这项技术已实现铜、镍、钴及半导体硫化物等多种功能材料的沉积，有望在电子封装、柔性电子、光伏能源领域实现小批量应用，成为微结构制造与功能集成相结合的核心技术之一，并为未来先进封装提供有力的技术支撑。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080205

X

卢品静;雷雨;黄晓龙;余四文;程昱川;任勇;郭建军;孙爱华. 弯液面限域电化学沉积在电子封装领域的应用^*[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80205-.

LU Pinjing, LEI Yu, HUANG Xiaolong, YU Siwen, CHENG Yuchuan, REN Yong, GUO Jianjun, SUN Aihua. Application of Meniscus-Confined Electrodeposition in Electronic Packaging[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80205-.

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镍二次相对烧结银接头性能与高温可靠性影响机制研究^*

王奔;丁苏;宿磊;李可;李万里

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0089

摘要 ( 144 )

PDF(2094KB) ( 134 )

为提高烧结银接头的高温可靠性，采用金属盐溶解法引入甲酸镍，制备得到镍/银复合焊膏。由甲酸镍分解的氧化镍颗粒均匀分散在烧结银内，并且通过抑制银原子扩散路径阻碍多孔结构的形貌演变。此外，研究还发现氧化镍提升接头界面可靠性的新机制，通过减缓烧结银与镀银层之间的原子互扩散速率，减轻基板氧化程度并抑制界面裂纹的产生，从而降低因界面缺陷导致的断裂风险。结果表明，添加0.5%（质量分数）甲酸镍的烧结银接头在电阻率、初始剪切强度及高温可靠性方面实现了最优的综合性能平衡。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080206

X

王奔;丁苏;宿磊;李可;李万里. 镍二次相对烧结银接头性能与高温可靠性影响机制研究^*[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80206-.

WANG Ben, DING Su, SU Lei, LI Ke, LI Wanli. Study on the Influence Mechanism of Nickel Secondary Phase on the Properties and High-Temperature Reliability of Sintered Silver Joints[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80206-.

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功率模块生产制程中铜基板翘曲的研究

徐文鑫;李魏然;何雪婷;任卓昌;刘云鹏;和香伶;张亚昆;刘潇;汪紫龙

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0092

摘要 ( 130 )

PDF(2747KB) ( 154 )

在安装应用功率模块的过程中，铜基板的平整度对于模块的散热性能和可靠性至关重要。通过构建功率模块有限元模型来配合翘曲实验，分析生产制程中不同预翘曲铜基板的翘曲演变数据，探究预翘曲特征对模块铜基板最终翘曲的影响。在功率模块生产制程中，一次焊接过程对翘曲影响最大，二次焊接、外壳组装和硅凝胶固化过程对翘曲影响较小。通过结合有限元仿真和焊接过程翘曲试验的分析方法，可以预测铜基板在整个生产制程中的翘曲，对工业生产设计预翘曲铜基板有指导意义。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080207

X

徐文鑫;李魏然;何雪婷;任卓昌;刘云鹏;和香伶;张亚昆;刘潇;汪紫龙. 功率模块生产制程中铜基板翘曲的研究[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80207-.

XU Wenxin, LI Weiran, HE Xueting, REN Zhuochang, LIU Yunpeng, HE Xiangling, ZHANG Yakun, LIU Xiao, WANG Zilong. Copper Baseplate Warpage in the Power Module Manufacturing Process[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80207-.

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先进互连焊柱CCGA高可靠应用研究

吴双;李艳福;张志成;郑天

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0093

摘要 ( 138 )

PDF(1716KB) ( 311 )

随着陶瓷球栅阵列（CBGA）封装器件在高可靠场合的大量使用，陶瓷与环氧树脂电路板热膨胀系数（CTE）不同造成的CTE失配问题需系统性地提出解决方案。通过对可靠性提升方案进行分析，选定更改连接方式途径，对普通高铅焊柱、螺旋柱和微弹簧柱3种陶瓷柱栅阵列（CCGA）焊柱进行仿真及实验验证，对比了其温度和振动可靠性，选出了可耐受500个温度循环的微弹簧柱，为大尺寸CBGA封装器件的高可靠环境使用提供了参考。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080208

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吴双;李艳福;张志成;郑天. 先进互连焊柱CCGA高可靠应用研究[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80208-.

WU Shuang, LI Yanfu, ZHANG Zhicheng, ZHENG Tian. Research on High-Reliability Applications of Advanced Interconnection Solder Columns for CCGA[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80208-.

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可润湿侧翼QFN毛刺缺陷分析及解决措施

张月升;陈畅;俞开源

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0094

摘要 ( 183 )

PDF(1433KB) ( 224 )

针对可润湿侧翼（WF）方形扁平无引脚（QFN）封装在切割工序中出现的毛刺缺陷进行研究。分析发现，一次切割后铜框架上残留的难以去除的铜毛刺及铜屑，在电镀过程中被锡层包裹，导致框架连筋宽度增大并超出设计值，二次切割时被刀片挤压易产生锡毛刺。采用实验设计（DOE）方法优化切割作业参数；结合实际作业结果，对切割刀片及框架进行设计改良。研究结果表明，当切割深度较小、切割刀片自锐性较高且连筋宽度较小时，可润湿侧翼方形扁平无引脚封装产品良率显著提高。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080209

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张月升;陈畅;俞开源. 可润湿侧翼QFN毛刺缺陷分析及解决措施[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80209-.

ZHANG Yuesheng, CHEN Chang, YU Kaiyuan. Wettable Flank QFN Burr Defect Analysis and Solutions[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80209-.

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基于负热膨胀填料研发的电子封装用塑封料^*

韦豪杰;江俊杰;覃飞宇;孙军;丁向东;胡磊

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0095

摘要 ( 237 )

PDF(2394KB) ( 5249 )

随着先进封装技术向高频高速、高集成度、小型化及高可靠性方向不断发展，封装结构中不同材料间热膨胀失配问题日益凸显，诱发界面热应力集中和器件失效等风险。负热膨胀填料具有温度升高体积收缩的独特物理性质，为解决封装材料热失配问题提供了潜在途径。结合电子封装材料的应用背景与性能需求，系统综述了负热膨胀填料的基本定义、主要分类及其核心特性，梳理了研发进展与应用探索，重点探讨了该类材料在先进封装塑封料中的应用潜力与发展方向，并对其未来趋势进行展望，以期为先进封装材料的研发提供科学参考。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080210

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韦豪杰;江俊杰;覃飞宇;孙军;丁向东;胡磊. 基于负热膨胀填料研发的电子封装用塑封料^*[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80210-.

WEI Haojie, JIANG Junjie, QIN Feiyu, SUN Jun, DING Xiangdong, HU Lei. Development of Electronic Packaging Molding Compounds Based on Negative Thermal Expansion Fillers[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80210-.

电路与系统

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一种高电源抑制无片外电容LDO设计

翟闯;王俊峰

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0078

摘要 ( 104 )

PDF(1998KB) ( 120 )

为了满足锁相环、压控振荡器、低噪声放大器等对供电模块电源噪声抑制能力的需求，基于前馈纹波消除技术，设计了一款超宽带无片外电容低压差线性稳压器（LDO）。采用带隙基准电路产生参考电压；误差放大器使用交叉耦合的对称型运算放大器架构，并提出了一种新型的前馈纹波耦合电路，利用求和运算放大器将纹波输送到功率管栅端，以超级源随器作为缓冲器来驱动功率管的栅端。电路基于SMIC 55 nm工艺设计，频率补偿仅需要2.02 pF的电容，实现了1.7 V~2.4 V的工作电压范围，输出电压为1.5 V，最大负载电流为50 mA。仿真结果表明，满载时在1 MHz能获得大于47 dB的电源抑制，与未使用前馈纹波技术相比，最高可在1 MHz处获得25 dB的提升，单位增益带宽为150 MHz，当负载电流以5 μs从1 mA切换到50 mA时，上下冲电压分别为2.5 mV、1.5mV。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080301

X

翟闯;王俊峰. 一种高电源抑制无片外电容LDO设计[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80301-.

ZHAI Chuang, WANG Junfeng. High Power Supply Rejection LDO Design Without External Capacitors[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80301-.

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集成温度传感的超高频RFID芯片的数字基带设计

罗宇轩;李建成

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0082

摘要 ( 67 )

PDF(1447KB) ( 66 )

射频识别技术是构建物联网生态体系不可或缺的一环，电子标签芯片的低成本与性能优化直接关系到该技术在众多场景中的应用深度，而数字基带的功能、功耗和面积正是电子标签芯片设计的重点。基于国际标准ISO/IEC 18000-6C协议完成了一款超高频电子标签芯片的数字基带设计，集成了温度传感功能，具有功耗低、面积小的特点。功能验证结果符合预期，经过逻辑综合和功耗分析，数字基带功耗为60.96 μW，布局布线后的面积为0.032 mm²，满足设计需求。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080302

X

罗宇轩;李建成. 集成温度传感的超高频RFID芯片的数字基带设计[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80302-.

LUO Yuxuan, LI Jiancheng. Design of the Digital Baseband for Ultra-High-Frequency RFID Chip Integrated with Temperature Sensor[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80302-.

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一种高隔离耐压厚膜电源变换电路设计

贾小龙;马金龙;曾飞翔;张荣

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0083

摘要 ( 105 )

PDF(1685KB) ( 213 )

通过2个开关管不对称交替导通来实现自振荡方波输出，利用2个整流二极管进行整流来实现较大功率输出，通过增加假负载电阻来增强隔离输出电压稳定性。该电路结构简单，不需要额外的PWM主控电路及光耦反馈，就能够实现隔离电压产生及功率输出。采用混合集成电路厚膜工艺，改变变压器的设计装配并在走线间采用介质隔离，最终实现高隔离耐压的要求，该结构可应用于不同厚膜电源变换电路。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080303

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贾小龙;马金龙;曾飞翔;张荣. 一种高隔离耐压厚膜电源变换电路设计[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80303-.

JIA Xiaolong, MA Jinlong, ZENG Feixiang, ZHANG Rong. Design of a High-Isolation Withstand Voltage Thick-Film Power Conversion Circuit[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80303-.

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一种应用于USB 2.0的低抖动双路径锁相环设计^*

纪升奥;王静;张瑛;朱槐宇

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0087

摘要 ( 89 )

PDF(1251KB) ( 93 )

针对传统锁相环中环路带宽、稳定性与相位噪声之间的固有矛盾，基于40 nm CMOS工艺设计了一种新型双路径低抖动锁相环。该锁相环的核心为一种自偏置积分比例双路径电荷泵，自适应调节环路带宽，在加快锁定速度的同时改善了抖动，同时，具有前馈通路的伪差分环形振荡器结构进一步优化了振荡器的相噪性能。仿真结果表明，该锁相环电路在2.5 V的供电电压下能够在2.7 µs内锁定到960 MHz处，相位噪声为-100.63 dBc/Hz@1 MHz，输出时钟的峰峰值抖动为0.72 ps。电路性能满足USB 2.0等接口协议的接收机时钟需求。

参考文献 |

2026年第26卷第8期 pp.080304

X

纪升奥;王静;张瑛;朱槐宇. 一种应用于USB 2.0的低抖动双路径锁相环设计^*[J]. 电子与封装, 2026, 26(8): 80304-.

JI Sheng’ao, WANG Jing, ZHANG Ying, ZHU Huaiyu. Low-Jitter Dual-Path Phase-Locked Loop Design for USB 2.0[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(8): 80304-.

材料、器件与工艺

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GaN宽带大功率放大器应用可靠性研究^*

戈硕;张茗川;施尚;邵国键;成爱强

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0121

摘要 ( 98 )

PDF(2014KB) ( 145 )

GaN管芯凭借其禁带宽度大、耐压高及功率密度大等显著优势，大幅提升了宽带大功率放大器的性能。然而，在性能提升的同时，GaN宽带大功率放大器也承受着更大的电应力和热应力，进而影响了放大器的长期可靠性。系统分析并研究了GaN宽带大功率放大器在工程应用中面临的漏极电压过冲、管芯结温过高、射频过激励以及输出失配等可靠性问题，并给出了针对性的改进与提升措施。

参考文献 |