电子与封装

2026年第26卷第5期 pp.050201

X

孙浩洋，高一睿，姬峰，兰梦伟，王成伟，韩宇，张鹏哲，郭振华. 硅基射频微系统的传热及热-力耦合仿真研究^*[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50201-.

SUN Haoyang, GAO Yirui, JI Feng, LAN Mengwei, WANG Chengwei, HAN Yu, ZHANG Pengzhe, GUO Zhenhua. Heat Transfer and Thermo-Mechanical Coupling Simulation in Silicon-Based RF Microsystems[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50201-.

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HTCC腔体成型工艺改善研究

张勇，高彩晋，杨兴宇，任耀华

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0051

摘要 ( 88 )

PDF(1330KB) ( 137 )

针对高温共烧陶瓷（HTCC）腔体在成型过程中易形变的普遍性问题，提出一种“分步预压后合体层压+内缩聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）膜”的组合方法，使在面对不同腔体结构成型问题时能够以一种通用的手段对腔体问题进行改善。同时，对预压压力和内缩距离进行了优化，有效掌握了腔体制造工艺技术，保证了腔体成型效果，腔面平面度达到20 μm以内。采用该方法制作的产品能满足可靠性验证方面的要求，为腔体成型提供了依据。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050202

X

张勇，高彩晋，杨兴宇，任耀华. HTCC腔体成型工艺改善研究[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50202-.

ZHANG Yong, GAO Caijin, YANG Xingyu, REN Yaohua. Study on the Improvement of HTCC Cavity Molding Process[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50202-.

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有机基板积层绝缘膜的关键性能权衡与技术展望^*

程佳佳，鞠苏，贺雍律，张鉴炜，靳启锋，吴之涵，尹昌平，邢素丽，李轶楠，段科

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0053

摘要 ( 113 )

PDF(3447KB) ( 222 )

积层绝缘膜作为先进封装技术的关键材料，其性能直接决定芯片系统的可靠性与信号传输速率。然而，高铜附着力、低热膨胀系数（CTE）、低介电性能与优异加工性这四大核心指标之间存在深层物理化学冲突，构成了难以逾越的“性能四边形”困境。综述传统积层绝缘膜在低介电树脂设计、填料-树脂界面调控及高填充复合工艺方面的主流策略与研究进展。在此基础上，进一步从分子与介观层面深入剖析制约性能协同提升的关键问题。为突破传统试错法的局限，阐述AI如何通过多尺度协同设计为解决这类复杂性能博弈挑战提供颠覆性路径，并指出AI赋能研发需解决的关键问题。对积层绝缘膜材料的未来发展趋势与技术方向进行展望。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050203

X

程佳佳，鞠苏，贺雍律，张鉴炜，靳启锋，吴之涵，尹昌平，邢素丽，李轶楠，段科. 有机基板积层绝缘膜的关键性能权衡与技术展望^*[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50203-.

CHENG Jiajia, JU Su, HE Yonglv, ZHANG Jianwei, JIN Qifeng, WU Zhihan, YIN Changping, XING Suli, LI Yinan, DUAN Ke. Key Performance Trade-offs and Technological Prospects of Organic Substrate Build-up Dielectric Films[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50203-.

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射频异构微系统集成技术综述

孙世凯，陈雷，冯长磊，赵轩

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0056

摘要 ( 172 )

PDF(2080KB) ( 155 )

随着半导体工艺和封装工艺的不断发展，射频（RF）微系统正朝着高度集成化、低成本、高性能的方向发展，其集成技术成为学术界和工业界的研究热点。引线键合、倒装、2.5D、3D等集成技术的发展为射频微系统性能提升与功能密度增强提供了有力支撑。基于射频微系统基础集成技术，系统梳理不同混合异构集成技术的最新研究进展，对各类集成技术进行对比分析与讨论，并给出总结与展望。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050204

X

孙世凯，陈雷，冯长磊，赵轩. 射频异构微系统集成技术综述[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50204-.

SUN Shikai, CHEN Lei, FENG Changlei, ZHAO Xuan. Review of RF Heterogeneous Microsystem Integration Technology[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50204-.

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基于ATE的XC7K系列FPGA测试技术研究

朱洪，李星毅，易忠，宋建磊

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0059

摘要 ( 68 )

PDF(2755KB) ( 66 )

FPGA具有可编程、高可靠性、方便使用等特点，被广泛应用于航空航天、通信电子等行业，因而对FPGA的测试具有重要意义。以XC7K系列FPGA为研究对象，基于自动测试设备（ATE），阐述了FPGA的测试方法。介绍了XC7K系列FPGA的资源和相关测试，探讨了FPGA测试的全流程和测试原理、方法，对FPGA进行了测试验证。实验结果表明，该FPGA测试开发流程能快速有效开发XC7K系列FPGA测试程序，测试流程可供相关从业人员参考。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050205

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朱洪，李星毅，易忠，宋建磊. 基于ATE的XC7K系列FPGA测试技术研究[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50205-.

ZHU Hong, LI Xingyi, YI Zhong, SONG Jianlei. Research on Test Technology of XC7K Series FPGA Based on ATE[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50205-.

电路与系统

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一种超低过冲电压的低功耗LDO电路设计

任罗伟，袁介燕，冯建飞，高灿灿

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0046

摘要 ( 59 )

PDF(1315KB) ( 414 )

基于0.18 μm BCD工艺，设计并实现了一款低功耗低压差线性稳压器（LDO）电路。针对其在断电后快速上电场景下输出电压过冲显著的问题，提出了一种优化方法。在LDO输入级结构的基础上增加启动电路模块，产生启动信号。当芯片上电时，启动电路产生高电平脉冲信号，启动管开启，增大了运放尾电流，从而提高运放响应速度，减小输出过冲电压。实验结果表明，该方法将输出过冲电压由3.406 V减小到约0.297 V，有效降低了输出电压过冲幅度，显著提升了LDO电路的瞬态响应性能与整体可靠性。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050301

X

任罗伟，袁介燕，冯建飞，高灿灿. 一种超低过冲电压的低功耗LDO电路设计[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50301-.

REN Luowei, YUAN Jieyan, FENG Jianfei, GAO Cancan. Design of a Low-Power LDO Circuit with Ultralow Overshoot Voltage[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50301-.

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超宽带接收幅相多功能微波单片集成电路

秦昌，杨清愉，胡远圣，赵桐，尤红权，葛逢春，张巍

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0050

摘要 ( 74 )

PDF(1576KB) ( 75 )

基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，研制了一款工作频率为2~12 GHz的超宽带接收幅相多功能微波单片集成电路（MMIC）。片上集成了低噪声放大器、数控衰减器、数控移相器、开关、13位串口数字电路及电源调制电路，整体尺寸为4.80 mm×4.35 mm，该MMIC在超宽带范围内具备高移相精度、低噪声系数与低功耗等优势。测试结果表明，在2~12 GHz频带内，小信号增益大于29 dB，噪声系数小于2.5 dB，移相均方根（RMS）误差小于3°，衰减RMS误差小于0.35 dB，芯片总功耗为0.37 W。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050302

X

秦昌，杨清愉，胡远圣，赵桐，尤红权，葛逢春，张巍. 超宽带接收幅相多功能微波单片集成电路[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50302-.

QIN Chang, YANG Qingyu, HU Yuansheng, ZHAO Tong, YOU Hongquan, GE Fengchun, ZHANG Wei. Multifunctional Monolithic Microwave Integrated Circuit for Ultra-Wideband Receiver Amplitude-Phase[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50302-.

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大电流厚膜混合半桥倍流整流变换器设计

解光庆，李昕煜

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0052

摘要 ( 26 )

PDF(1359KB) ( 30 )

为满足新型装备中AI芯片、数字信号处理器（DSP）等对低压大电流供电的需求，针对传统两级式供电架构存在的效率低、体积大等问题，开展基于厚膜混合集成工艺的单级式半桥倍流整流变换器设计。通过分析厚膜工艺在大电流应用中存在的导体电流密度低、散热性能差及高频损耗高等问题，提出采用高导热活性金属钎焊陶瓷（AMB）基板与优化功率互连结构来提升通流能力与散热性能。电路采用LM5035C控制芯片实现前馈电压模式调制与同步整流驱动，变压器采用4∶1匝比并联结构以降低绕组损耗。研制出输入电压范围为20~38 V、输出电压为1 V、输出电流为50 A的试验样机，峰值效率超过90%，验证了所提结构在实现高功率密度、高效率及良好动态响应方面的可行性，为新型电子装备的低压大电流供电需求提供了可靠的集成解决方案。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050303

X

解光庆，李昕煜. 大电流厚膜混合半桥倍流整流变换器设计[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50303-.

XIE Guangqing, LI Xinyu. Design of High-Current Thick-Film Hybrid Half-Bridge Current-Doubler Rectifier Converter[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50303-.

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一种校验码独立存储的EDAC设计

徐文龙，李洪昌，许峥，姚进，周昕杰

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0055

摘要 ( 85 )

PDF(1057KB) ( 182 )

引入校验码的检错与纠错机制可有效提升存储器的抗单粒子翻转能力。然而，在传统架构中，校验码与数据码共置于同一存储单元，存在高能粒子同时诱发二者翻转的潜在风险。针对该问题，提出一种基于SRAM的校验码独立存储架构，采用专用存储器单元管理校验码。仿真结果表明，该设计可有效纠正1位错误并检测2位错误；在性能方面，面积与功耗无显著增加，故障注入仿真中的单粒子翻转率由3.96%降至0.00%。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050304

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徐文龙，李洪昌，许峥，姚进，周昕杰. 一种校验码独立存储的EDAC设计[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50304-.

XU Wenlong, LI Hongchang, XU Zheng, YAO Jin, ZHOU Xinjie. EDAC Design with Independent Check Code Storage[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50304-.

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基于STM32H743单片机的I²C批量通信系统设计及其应用

陈骞，高宁，丁光洲

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0058

摘要 ( 93 )

PDF(1594KB) ( 51 )

针对传统电路老炼测试中“单主机-单从机”通信方式导致的硬件资源冗余、系统复杂度高与成本高昂等问题，在工程原理层面进行创新，设计并实现了一种基于STM32H743单片机的多通道I²C批量通信系统。在硬件扩展机理上，系统通过配置STM32H743的25组通用输入/输出（GPIO）引脚，采用软件模拟I²C时序的方式，突破了微控制器硬件I²C外设数量有限的瓶颈，成功扩展出25组完全独立的I²C主机接口。在集中监控机理上，系统采用主从式轮询结构，结合双循环遍历算法这一核心调度策略，外层循环按地址组切换通信目标，内层循环遍历组内所有物理从机，通过分时复用机制实现了对多达25×X个（X为单主机支持的从机数）从机电路的状态数据采集与异常检测，形成了系统性的集中监管。测试结果表明，系统可实时回读并显示所有从机状态，异常检测响应时间低于100 ms，在125 ℃高温下持续测试48 h，累计超过440万次通信事务的成功率超过99.95%。相较于现有依赖专用切换芯片或多路复用器的同类方案，该方案利用纯软件模拟实现大规模I²C主机扩展，摒弃了额外的硬件依赖，从而在工程应用上带来了显著优势，单主板即可集中管理数百个节点，系统复杂度与硬件成本较传统方案估算降低40%以上，为高可靠性电子设备的量产筛选提供了一种更高性价比、更简洁可靠的全新解决方案。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050305

X

陈骞，高宁，丁光洲. 基于STM32H743单片机的I²C批量通信系统设计及其应用[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50305-.

CHEN Qian, GAO Ning, DING Guangzhou. Design and Applications of an I²C Batch Communication System Based on the STM32H743 Microcontroller[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50305-.

材料、器件与工艺

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MLCC电-热应力击穿失效机制与可靠性提高技术

王静，孙慧楠，易凤举

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0049

摘要 ( 104 )

PDF(1152KB) ( 132 )

针对多层陶瓷电容器（MLCC）电-热应力击穿失效问题，系统分析其失效模式与机理，并阐述相应的分析技术，提出可靠性提升方案。综合运用电气性能测试、金相显微镜观察、加电筛选等技术手段，结合研磨解剖分析，精准定位内部隐性短路缺陷，揭示其分布特征。研究结果表明，电-热应力击穿失效主要表现为介质层离子迁移与氧空位富集导致的绝缘性能退化，特别是介质层厚度≤0.6 μm的超薄层型MLCC在过电压环境下的失效风险显著升高。通过优化核心制造环节、改进电路设计及引入柔性端电极结构等措施，可有效降低MLCC的失效率。应用案例验证表明，引入柔性端电极结构并优化PCB散热设计，可使常规型MLCC高温环境下的失效率从0.5%降至0.01%，产品可靠性得到显著提升。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050401

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王静，孙慧楠，易凤举. MLCC电-热应力击穿失效机制与可靠性提高技术[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50401-.

WANG Jing, SUN Huinan, YI Fengju. Failure Mechanisms of Electro-Thermal Stress Breakdown in MLCCs and Reliability Enhancement Techniques[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50401-.

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面向高性能器件的SIPOS薄膜制备：沉积压力的优化与影响分析

张可可，安湘琛，袁源

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0054

摘要 ( 30 )

PDF(1605KB) ( 17 )

为提升半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜的片内均匀性及其器件的耐压性能，系统研究了低压化学气相沉积工艺中压力与N₂O/SiH₄的气体流量比γ的协同影响机制。通过固定温度并调控γ值与沉积压力，制备了不同的SIPOS薄膜。研究结果表明，当γ值较低时，薄膜均匀性对压力变化不敏感。然而，在高γ值条件下，低沉积压力会导致反应气体在晶圆表面产生显著的径向与轴向浓度梯度，且因表面扩散受限难以消除，进而引发薄膜厚度与氧含量的片内不均匀，最终导致器件的耐压性能与可靠性降低，因此中等沉积压力是兼顾SIPOS薄膜均匀性及高耐压特性的最优工艺窗口。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050402

X

张可可，安湘琛，袁源. 面向高性能器件的SIPOS薄膜制备：沉积压力的优化与影响分析[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50402-.

ZHANG Keke, AN Xiangchen, YUAN Yuan. Preparation of SIPOS Thin Films for High-Performance Devices: Optimization and Impact Analysis of Deposition Pressure[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50402-.

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GaN HEMT可靠性研究综述^*

杨天晴，邢宗锋，母欣荣，赵钢，文科，罗俊

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0057

摘要 ( 107 )

PDF(2044KB) ( 104 )

以GaN为代表的第三代宽禁带半导体，凭借卓越的物理特性，正在引领电力电子领域的新一轮技术革命。GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在实现高效、高频、小型化的新一代电力电子系统中展现出巨大潜力。然而，与成熟的Si基技术相比，GaN器件的可靠性问题是制约其大规模商业化应用的核心瓶颈。对GaN器件的可靠性研究现状进行了系统性的回顾与总结。阐述了典型GaN HEMT的基本结构与工作原理，分析了其关键电学参数。剖析了GaN器件在复杂电、热、机械应力下的主要失效机制，重点探讨了由逆压电效应、陷阱效应、短路以及热应力集中等引发的器件退化与失效机理。在此基础上，进一步梳理和介绍了提升器件可靠性的关键技术，涵盖了从优化材料外延生长、革新热管理方案到采用先进的器件结构设计等多个层面。旨在为从事GaN技术研究与应用的科研人员和工程师提供参考，以期推动GaN器件可靠性问题的解决，加速其在关键领域的应用进程。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050403

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杨天晴，邢宗锋，母欣荣，赵钢，文科，罗俊. GaN HEMT可靠性研究综述^*[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50403-.

YANG Tianqing, XING Zongfeng, MU Xinrong, ZHAO Gang, WEN Ke, LUO Jun. Review of GaN HEMT Reliability Research[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50403-.

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电荷积累造成铜损伤缺陷的机理研究

白贝

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2026.0060

摘要 ( 86 )

PDF(1849KB) ( 54 )

低介电常数材质的引入在提升电子器件性能的同时，也对制造工艺中的缺陷管理提出了严峻挑战，一些微观缺陷有可能造成晶圆上电子器件功能的丧失，甚至整片晶圆报废。尽管目前业界对制造工艺中的电荷管理已经日益成熟，但仍有因电荷积累问题导致的缺陷发生。围绕化学气相沉积低介电常数介质膜制造工艺中的电荷积累问题，通过设计实验并借助失效分析手段，验证低介电常数介质膜制造工艺中产生的电荷积累使后道工艺金属层出现铜损伤缺陷的失效模型，发现主要原因为低介电常数介质膜制造工艺后，电荷积累在干法刻蚀至湿法清洗工艺之间未得到充分释放。基于相关实验的研究结果，提出消除铜损伤缺陷的解决方案，实现良率提升，避免晶圆大面积报废，保持产线量产稳定。

参考文献 |

2026年第26卷第5期 pp.050404

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白贝. 电荷积累造成铜损伤缺陷的机理研究[J]. 电子与封装, 2026, 26(5): 50404-.

BAI Bei. Mechanism Study of Copper Damage Defects Caused by Charge Accumulation[J]. Electronics & Packaging, 2026, 26(5): 50404-.

封装前沿报道

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砖泥结构环氧树脂/氮化硼导热复合材料

卢晓微, 吴子剑

摘要 ( 34 )

PDF(463KB) ( 33 )

针对电子封装领域中热界面材料对高导热与电绝缘的双重需求，哈尔滨理工大学吴子剑副教授团队提出了一种创新的空间限域策略，巧妙借鉴了“砖-泥”结构设计：首先利用反应诱导相分离法制备环氧树脂微球（EMs），并通过高能球磨将氮化硼（BN）纳米片精准包覆于微球表面，构筑出以微球为芯、BN为壳的“硬质砖块”单元；随后，引入液态金属（LM）与未固化环氧树脂组成的“导热浆料”填充砖缝，通过热压成型工艺制备EMs/BN/LM/EP复合材料，各材料形貌如图1所示。

参考文献 |